Qinwei高性能600V高速回復ダイオードMUR3060PT

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製品の属性

モデル: MUR3060PT(QINWEI)

ブランド: Qinwei

供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料: データシート, 写真

VRRM: 600V

IF(AV): 30A

VF(IF=15A,TC=25℃)Max: 1.65V

IFSM: 150A

TRR（if = 0.5a、IR = 1.0a、IRR ＝0.25a）typ: 45ns

Tj: 150℃

Package: TO-247

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半導体離散デバイス

30A 600V高速回復ダイオード-MUR3060PT

特徴

*低い逆漏れ電流

*低消費電力、高効率

* 高い信頼性

* ROHS準拠製品

アプリケーション

*スイッチモード電源

*インバーター/周波数コンバーター

*自動車電子機器

*その他の電子回路

パッケージとアウトライン

TO-247

最大評価（ TC = 25 ℃）

Parameter	Symbol	Value	Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage	VRRM VRWM VR	600	V
Average Rectified Forward Current (Rated VR, TC = 125°C) Per Diode Per Device	IF(AV)	15 30	A
Surge non repetitive forward current (tp = 8.3 ms sinusoidal)	IFSM	150	A
Storage Temperature Range	Tstg	-55~+150	℃
Operating Junction Temperature	TJ	150	℃

電気的特性

Parameter	Symbol	Value(max)	Unit
Instantaneous Forward Voltage (Note 1) @ IF = 15A, TC = 25°C @ IF = 15A, TC = 125°C	VF	1.65 1.50	V
Instantaneous Reverse Current (Note 1) @ Rated DC Voltage, TC = 25°C @ Rated DC Voltage, TC = 125°C	IR	3 200	uA
Maximum Reverse Recovery Time IF=0.5A, IR= 1.0A,irr＝0.25A	TRR	45	ns

高速回復ダイオード（FRD）は、電子コンポーネントのカテゴリに属する高速スイッチングアプリケーション向けに特別に設計された半導体ダイオードの一種です。そのコア特性は、通常、ナノ秒からマイクロ秒の範囲で、非常に短い逆回復時間です。前方バイアスから逆バイアスに切り替えると、電流の流れが急速に遮断され、それによりスイッチング損失と電磁干渉（EMI）が大幅に減少します。この特性により、スイッチモード電源、溶接電源、インバーター、モータードライブ回路などの高周波回路に適しています。