Guangdong Kinwill Electronic Co., Ltd
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LEGM200BH120L2H 1200V IGBTパワーモジュール
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LEGM200BH120L2H 1200V IGBTパワーモジュール

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製品の説明
製品の属性

モデル: LEGM200BH120L2H

VCES: 1200V

IC(TC=100 ℃): 200A

ICRM: 400A

Vges: ±30V

Ptot: 950W

VCE(sat)@VGE=15V,Tvj=25 ℃: 1.80V

ICES: 3.0mA

パッケージ: L2

梱包と配送
200A 1200V IGBTモジュール - LEGM200BH120L2H
特徴
•v ce = 1200V i c = 200a
•低VCE（SAT）
•v CESAT正の温度係数
•最大接合温度150 ℃
•分離型パッケージ
アプリケーション
  • 再生可能エネルギー：ソーラーインバーター、風力タービンコンバーター、エネルギー貯蔵システム
  • 産業モータードライブ：ポンプ、コンプレッサー、工場の自動化のACモーターを制御する
  • 電気自動車（EVS） ：モーター制御用のトラクションインバーター、DC-DCコンバーター
  • モーター制御とドライブ
パッケージタイプと内部回路
LEGM200BH120L2H PackageIGBT Module L2
パッケージの寸法
LEGM200BH120L2H Package Dimensions
IGBT Powerモジュールは、 複数のIGBTチップ、フリーホイールダイオード、補助コンポーネント（温度センサー、ゲートドライバーなど）を1つのコンパクトパッケージに組み合わせた統合電源半導体デバイスです。高電圧（最大6.5kV）、高電流（最大数千アンペア）、および高周波スイッチング操作用に設計され、工業システムで大量の電力を制御するための効率的な電子スイッチとして機能します。
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