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ST4SIM-300 × レッドティーモバイル：インターフェースフリーデバイスで「接続すれば制御可能なIoTデバイス」を実現
20 年にわたる IoT チップの進化、重要な段階で行き詰まっている 規格が変わったため、チップを再度書き直す必要があります。 この変革の中で、GSMA は 2023 年に IoT シナリオ向けの SGP.32 仕様を発表しました。以前に消費者向けデバイス向けに設計された SGP.02 仕様と比較して、SGP.32 での最も重要な変更点は、手動によるオンサイトの対話が不要になったことです。デバイスは、リモート操作で構成の更新とネットワークの切り替えを完了できます。 ST (STMicroelectronics) は、SGP.32 プロジェクトのエンジニアリング実装を最も早く達成したメーカーの 1 つです。 STが発売したST4SIM-300チップは、GSMAの最新のSGP.32 IoT eSIM規格に基づいて設計された業界初の製品の1つです。技術的には、5G SA ネットワークをサポートし、最高の産業レベルの EAL6+...
STM32 は、世界の汎用マイクロコントローラ市場で 5 年連続トップ プレーヤーであり続けています。
一般的なマイクロコントローラー (MCU) の ST の定義には、セキュリティ MCU および車載グレードの MCU は含まれません。出典: Omdia、「Annual 2001–2025 Semiconductor Market Share Competitive Landscape Tool」、2026 年 3 月。上記の結果は STMicroelectronics を支持するものではありません。第三者によるこれらの結果への依存は、第三者自身の責任で行ってください。市場シェアは収益 (米ドル)...
![[新製品リリース] CRMICRO、BMS の効率的かつ信頼性の高い動作を保証する第 5 世代高性能 SGT MOS 製品を発売](http://bsg-i.nbxc.com/company/7b/174bcf1258e51cac557d545a4e85d7.jpg?x-oss-process=image/resize,w_500/format,jpg)
[新製品リリース] CRMICRO、BMS の効率的かつ信頼性の高い動作を保証する第 5 世代高性能 SGT MOS 製品を発売
1. 製品紹介PIBG が発売した CRSZ014N08N5Z は、同社の第 5 世代 SGT テクノロジー プラットフォームの最新成果です。総合性能が大幅に向上しました。 CRSZ014N08N5Z は、前世代の製品と比較して、SOA や UIS などの主要な指標が大幅に改善されており、BMS アプリケーションに対してより安全で信頼性の高いソリューションを提供できます。2.製品の優位性2.1.大幅なパフォーマンスの向上測定パラメータの比較：業界の主流製品（最大オン抵抗約1.4mΩ）と比較して、CRSZ014N08N5Zの測定RDS(on)は最も低くなります。その VTH の標準値は 3.1V で、定常状態の導通中にチャネルが完全に開いたときに低い RDS(on) という要件を満たすだけでなく、ターンオフ中のより高速なターンオフしきい値も可能になります。 △ DCパラメータテストSOA 特性: BMS の主回路保護および電力制御シナリオでは、MOSFET の SOA...
『サンケンテクニカルレポート』最新号（Vol.57）が発売されました！
「SANKEI Technical Report」は、省エネルギー社会の実現に向けて三渓グループが開発した最新の技術や製品を紹介する技術資料集です。 2025年11月の最新号（Vol.57）が発売されました。今回は、AC/DCコンバータIC「STR5A300シリーズ」の開発状況を皆様にご紹介させていただきます。 ・まとめ ・STR5A300 シリーズは、非絶縁電源アプリケーション向けに設計されたパワー IC です。 900V高耐圧パワーMOSFETを搭載し、フライバックトポロジを採用しています。軽負荷条件下で高い効率を実現します。現在、この製品はまだ開発段階にあります。 STR5A300 シリーズは、負荷範囲全体にわたって高い効率を備えており、アイドル時の消費電力は 25mW 未満です。一方で、電源電圧が不安定な地域での用途に対応するため、耐圧900Vの製品シリーズも用意しています。パッケージングについては、プラグインDIPパッケージと表面実装SMDパッケージを予定しております。...
STマイクロエレクトロニクス、中国で現地生産のSTM32マイクロコントローラの量産を開始
STマイクロエレクトロニクスは、中国現地で製造されたSTM32汎用マイクロコントローラの出荷を開始したと発表した。 Huahong Honli が生産を委託した ST Microelectronics STM32 ウェハ製品の最初のバッチは、国内の顧客に順次出荷されています。このマイルストーンは、ST マイクロエレクトロニクスのグローバル サプライ チェーン戦略における大きな進歩を示します。同社は、2026 年までにさらに多くの STM32 製品シリーズ (高性能、安全、エントリーレベルのマイクロコントローラーを含む) の現地大量生産を達成する予定です。 STマイクロエレクトロニクスのエグゼクティブバイスプレジデント兼中国地域社長の曹志平氏は次のように述べています。 STM32 MCU の現地規模の大量生産は、STMicroelectronics の中国の顧客に対する中核的な取り組みを示しています。当社は Huahong と協力して、安全で信頼性が高く、より回復力のあるローカル MCU サプライ...
【新製品リリース】CRMicroは、インテリジェント運転支援サプライチェーンのセキュリティをさらに強化する車載グレードの超音波レーダーチップQCS7209BFを発売しました。
I. 製品紹介PIBG が発売した QCS7209BF 製品は、国際的に高度なパフォーマンスを達成し、AEC-Q100 (グレード 2) の信頼性認証に合格しました。 QCS7209BFは、ドライバ振動子を介して超音波信号を送信し、受信したエコー信号を増幅・変換し、信号処理部によりタイムゲインコントロール(TGC)、閾値生成(TG)、閾値調整(TA)、信号強調(SE)、エコー検出(RWD)などの最適化処理を行うことで物体距離検出を実現します。チップ内に信頼性の高いメイン制御モジュールを集積し、各機能モジュールの効率的かつ安定した動作を保証するとともに、低消費電力管理にも配慮しています。さらに、チップには不揮発性メモリが内蔵されており、工場出荷時の設定やユーザー定義のパラメータ構成を保存するために使用でき、ユーザー アプリケーションの柔軟性要件を完全に満たします。 II.製品の利点パフォーマンス指標： 電源電圧：7～18V、最大耐電圧40V サポートされているトランスデューサー周波数: 30 - 83 KHz 内部回路には、周波数 12 MHz...
NXP が最初の 10BASE-T1S PMD トランシーバーをリリース: インテリジェント エッジにコスト効率の高いイーサネット接続をもたらします。
NXP Semiconductorsは、車載アプリケーション向けのTJA1410と産業用制御およびビルディングオートメーションアプリケーション向けのTJF1410を含む、初の量産10BASE-T1S PMDトランシーバシリーズの発売を発表しました。これら 2 つのデバイスはイーサネット テクノロジーの大幅な進化を表しており、OEM がイーサネットのカバレッジをネットワーク エッジまで拡張し、ソフトウェア デファインド アーキテクチャへの移行を加速するための統合されたスケーラブルなネットワーク基盤を構築できるようになります。 CAN バスのシンプルさを備えた堅牢なイーサネット データ パスを提供し、大規模導入のシステム コストを大幅に削減します。その中で、TJA1410 は車載機能安全アプリケーション向けの包括的な認証に合格しており、これらのデバイスは両方とも最新の Open Alliance TC14 仕様に準拠し、堅牢な電磁両立性 (EMC) 性能を備えています。この一連の PMD トランシーバーは、従来のイーサネット PHY を 2 つの部分に分割します。デジタル部分はホスト...
Jinlan Power Semiconductor は、エネルギー貯蔵 PCS アプリケーション モジュールの LE2 シリーズを発売しました。
製品紹介 コアテクノロジー 応用分野
新製品 | CRMICRO、家庭用電子端末製品の急速充電保護を強化する低電圧双方向 E モード GaN 製品を発売
製品概要小型、高信頼性、低コスト。トリニティで製品力を強化 出荷する製品の品質を保証するための厳格な評価と認証 IDMモデルを採用し、安全で信頼性の高いサプライチェーンシステムを構築 製品仕様 典型的なアプリケーションシナリオ - 携帯電話の急速充電 製品一覧 40V 双方向 OVP サブフィールドにおいて、CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ は、業界の同仕様の製品と比較して、より低い Ron、より高いコスト競争力、より安定した信頼性の高い品質保証を特徴としており、お客様のハードウェア コストの削減と製品のコスト...
NCE 250V 超高速逆回復 SGT MOSFET 製品紹介
コアアドバンテージ 基本特性 応用分野コミュニケーション産業用電源インバータ回路48V～100Vモーター制御クラスDオーディオ増幅New Energy Power は、さまざまなアプリケーション...
リチウム電池保護の応用原理と対応するトレンチMOSFETの分析
リチウム電池保護の動作原理の分析 リチウム電池の保護方式の比較 NCE スロットタイプの低電圧 MOSFET は、リチウム電池保護方式のアプリケーションに適しています。
Jinlan パワーモジュールが「コア」テクノロジーでエネルギー変革を実現
政策の実施は最終的には技術革新と信頼性の高い製品に依存します。 Jinlan Power Semiconductor は、自社開発チップの利点とカスタマイズされた調整機能を活用して、エネルギー貯蔵、太陽光発電、ソリッドステート変圧器という 3 つの主要な分野でワンストップのパワー モジュール ソリューションを開始しました。現在、同社の製品のほとんどは顧客テストに合格し、量産段階に入っています。 太陽光発電：（ブースト MPPT を含む） ● 太陽光発電市場の主流シナリオのアプリケーション要件を完全に満たすことができます。 ●1000V、1500Vなどの電圧系統に対応しています。 エネルギー貯蔵 ● 主流の産業、商業、貯蔵部門、および集中型エネルギー貯蔵シナリオのアプリケーション要件を完全に満たすことができます。...
Jinlan Power Semiconductor は、3 レベルの太陽光発電およびエネルギー貯蔵アプリケーション モジュールの LE3 シリーズを発売しました。
製品紹介Jinlan Power Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. は、125KW ストリング型太陽光発電インバーターに適した製品 JL3T400V120SE3G7SS を発売しました。 Jinlan LE3パッケージ（Easy 3Bパッケージと互換性あり）を採用しています。すでに顧客テストに合格しており、現在大量供給の段階にあります。 コア技術優れた動的パラメータと静的パラメータ、低電圧降下、低動的損失、高周波および高電力アプリケーションシナリオに適していますチップレベルおよびパッケージレベルの信頼性検証の完全なセットを通じて反りが少なく表面熱伝導性に優れたシリコンコーティング効果放熱性を高めて出力を確保するには、放熱性の高いパッケージ材料を選択してください。 JL3T400V120SE3G7SS...
CR MICROの第4世代SiC MOSメインドライブモジュールが車載用途向けに量産されました。
China Resources Microelectronics のパワー デバイス ビジネス グループ (PDBG) は、SiC メイン ドライブ モジュール セグメントでさらなる飛躍を達成しました。 PDBGが独自に開発した第4世代SiC MOSメインドライブモジュールは大手自動車メーカーへの導入に成功し、現在車載用に量産されている。このモジュールは、PDBG の 1200V SiC MOS G4 プラットフォーム チップに基づいており、ValueDual パッケージと 6/8 チューブ並列設計を特徴としています。最小オン抵抗は 1.6mΩ で、SiC デバイスの低損失および高温耐性特性と、ValueDual モジュールの高いシステム互換性および高いシステム効率の利点を組み合わせています。商用車の主要駆動システムにおいて非常に優れた性能を発揮します。 1、製品の主な機能高耐圧、低オン抵抗シンプルで簡単な並列駆動発振を防ぐための低インダクタンスパッケージAMBテクノロジーの使用 2、応用分野 xEVアプリケーション モータードライブ スマートグリッド、系統接続分散型発電...
新製品 | Crmicro MSOP9 シリーズ自動車グレードのハーフブリッジ モジュール: 新エネルギー自動車産業が効率的な未来に向けて前進できるよう支援
新エネルギー自動車業界の急速な発展により、高性能、高効率、信頼性の高い電源管理ソリューションに対する強い需要が高まっています。パワーデバイス事業グループ（以下、PDBG）は、半導体分野での深い技術蓄積とIDMのオールチェーンレイアウトに依存し、ハイエンド産業用制御および車載エレクトロニクス分野に継続的に注力し、技術革新と製品イテレーションアップグレードを積極的に推進し、新世代のMSOP9シリーズ車載グレードハーフブリッジモジュールを発売し、新エネルギー車業界に画期的な技術アップグレードと高品質の製品体験をもたらしました。 I. 製品紹介PDBG の新しい MSOP9 シリーズ車載グレード ハーフブリッジ モジュールは、MSOP8 パッケージング プラットフォームに基づいた最新の成果です。その総合性能は国際的な先進レベルに達しています。前世代の製品と比較して、このモジュールは革新的に NTC をモジュール内部に統合し、統合度を大幅に向上させ、より効率的で信頼性の高いソリューションを顧客に提供します。 MSOP9 シリーズ車載グレード ハーフブリッジ パワー...
![スイッチング損失は、市場の同様の製品と比較して 20% 以上削減されます。 * 車載IPM [SAM265M50AS3]](http://bsg-i.nbxc.com/company/3b/3d6c094295733f1c4df944acfded5f.png?x-oss-process=image/resize,w_500/format,png)
スイッチング損失は、市場の同様の製品と比較して 20% 以上削減されます。 * 車載IPM [SAM265M50AS3]
【SAM2シリーズ】三相高圧モータ駆動用モータのうち、【SAM265M50AS3】が正式に量産開始となりました。 【SAM2シリーズ】は、三相モータの駆動制御に必要な出力スイッチング部品、プリドライバ、限流抵抗付自己昇圧ダイオード、サーミスタを一体化したオールインワン統合設計を採用しています。 現在量産中の【SAM265M50AS3】は車載用途向けに設計されており、最大定格650V/50A仕様となっております。本製品は、市場の同等製品と比較して、スイッチング損失※20％以上の低減を実現しています（条件：TJ=125℃、IC=50A）。 IPMの温度上昇を効果的に抑制することで、熱設計の自由度がさらに向上しました。...
【新製品】三菱電機、小型半導体モジュールDIPIPM™シリーズのサンプル提供を開始。
新製品 三菱電機グループは2025年9月11日、家庭用・産業機器（キャビネットエアコン、ヒートポンプ暖房給湯機など）向けに、新小型DIPIPMパワー半導体モジュールを9月22日より供給開始すると発表した。新小型DIPIPMシリーズには、PSS30SF1F6（定格電流30A/定格電圧600V）とPSS50SF1F6（定格電流50A/定格電圧600V）が含まれる。逆流型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（RC-IGBT）※の採用により、パッケージサイズを当社従来品Mini DIPIPM Ver.7シリーズの約53％に縮小し、キャビネットエアコンなどのインバータ制御装置の小型化が可能です。新製品は、9月24日から26日まで中国・上海で開催される2025年上海国際パワーコンポーネントおよび再生可能エネルギー管理展示会（PCIM Asia Shanghai 2025）に展示される。 製品の特徴...
高電流密度 IGBT モジュール LE2 200A/650V
高電流密度 IGBT モジュール LE2 200A/650V JL3I200V65RE2PN は、650V / 200A INPC 3 レベル インバータ モジュールで、トレンチ ゲート終端技術を備えた IGBT7 チップを使用し、サーミスタ (NTC) とオプションの PressFIT 圧着ピン技術を備えています。この IGBT モジュールは、アクティブ パワー フィルタ (APF) およびその他の 3 レベル アプリケーションでの使用が推奨されます。 APFは、電力システム、電気めっき企業、水処理装置、石油化学企業、大型ショッピングモールやオフィスビル、精密電子企業、空港や港の電力供給システム、医療機関などの産業、企業、政府機関の配電ネットワークに広く適用できます。 製品シリーズ: ●JL3I200V65RE2PN ●JL3I150V65RE2PN ●JL3I100V65RE2PN...
NCE の HO シリーズ ワイド SOA MOSFET 製品の紹介
核となる技術的優位性1.超強力リニアゾーン短絡電流、短絡容量測定値の比較ワイドSOA HOシリーズの代表製品であるNCE09N70Aと、NCE社の同電力レベルの旧製品との間で短絡耐量試験を実施したところ、線形領域の短絡耐量が50%向上、第1カテゴリの短絡耐量が50%向上しました。 2. 超広範な安全動作領域 (SOA)デバイス構造とドーピング分布を最適化することにより、同じ伝導抵抗条件下で、1ms/10ms パルス時間の熱不安定性ラインのテストでは、HO シリーズ製品が古い製品と比較して SOA エリアが広いことが明確に示されています。従来製品と比べてSOAが30%以上増加し、より高電圧、大電流の組み合わせ動作条件に対応します。 3. 高信頼性設計厳格かつ包括的な経年劣化プロジェクト評価テストを通じて、最大ジャンクション温度は 175℃ に達します。また、AEC-Q101 車載グレード認証にも合格し、車載エレクトロニクスの長期安定動作要件を満たします。 4....
NSG4427 2A デュアルチャネルローサイド同相ゲートドライバチップ
NSG4427 は、低電圧パワー MOSFET および IGBT 同相ゲート ドライバです。独自のラッチ耐性CMOSテクノロジーにより、高い堅牢性を実現します。入力レベルは、最低 3.3V の CMOS または LSTTL ロジック出力レベルと互換性があります。広い VCC 範囲、遅れのある不足電圧ロックアウト、および出力電流バッファリング段を備えています。 2チャンネルを並列接続することで駆動能力を高めることができます。 製品の特徴: Infineon IR4427 の PIN2PIN を Microchip TC4427 に置き換え同相のデュアルチャンネル入出力3.3V入力ロジックに対応動作範囲: 5V ～ 25Vラッチング保護: 0.5Aの逆電流に耐えることができます。駆動電流能力: -- プル電流 / シンク電流 = 2A / 2A SOP8 パッケージング...
この記事では、NCE 製の逆導通 IGBT: NCE15ER135LP を推奨します。 1350V、100℃で定格電流15AのTO-3Pパッケージ製品です。 この製品は、第7世代のマイクログルーブフィールドカットオフ技術設計を採用しています。この構造により、デバイスのセル構造密度を大幅に高めることができます。キャリア蓄積設計を最適化し、マルチグラディエントバッファ層設計と極薄ドリフト領域プロセス技術を追加することにより、デバイスの電流密度をさらに高めることができます。同時に、マルチグラディエント裏面バッファ層設計を導入することにより、デバイスのスイッチング特性が最適化され、システム設計の余地が広がります。本製品の基本パラメータを国内メーカーの一般的なIGBT製品と実測・比較しました。詳細なデータは次のとおりです。 テストデータによれば、NCE15ER135LP サンプルの BV 耐電圧は競合製品よりも高くなります。さらに、NCE15ER135LP サンプルの飽和電圧降下 VCE(sat) および順方向導通電圧降下 VF...
NCE の研究開発チームのトレンチ型プロセス プラットフォームは、定格電圧 30V、抵抗 1mΩ の強化された N チャネル MOSFET 製品シリーズを発売しました。 製品の優位性NCE 独自のトレンチ型プロセス プラットフォームを使用した超高セル密度と細い線幅設計を採用し、NCE011N30GU を例として最適化された大電流製品パッケージング プロセスと組み合わせることで、標準的な伝導抵抗は 0.75mR と低く、連続電流 ID は最大 325A に達します。優れたパラメータ性能は、トレンチ型チップ設計とパッケージングプロセスの技術力を証明しています。このシリーズの製品は、超高電流密度、超高アバランシェ降伏耐性、および高い信頼性性能を備えています。このデバイスは 100% の雪崩テストに合格しており、優れた堅牢性を備えています。製品のパフォーマンスは優れており、経済的で効率的な製品ソリューションを市場に提供します。 製品の特徴○ 高い電力電流密度○超低オン抵抗○高い放熱性能○高い信頼性* パワーMOSFET...
2153Xシリーズ600V自己展望ハーフブリッジMOSFET/IGBTドライバーチップ
半導体デバイス * N-Channel Mosfet 製品機能 ●Infineon IR2153（1）（S/D）、IRS2153（1）D（S）PBFをPIN2PINに置き換えます●VCCおよびVBデュアルアンダー電圧保護●最大動作電圧：600V ●デッドゾーン保護●CT、RTプログラマブルオシレーター●VCCクランプ電圧は15.6Vです●現在の駆動能力： - 電流描画 /電流供給= 1.2a / 1.5a ●SOP8、DIP8パッケージDIP8 SOP8 機能ブロック図推奨されるアプリケーションスコープ 蛍光灯、生殖能力ランプオーディオパワーアンプ電源 AC/DC電源オーディオアンプのための複数のポジティブおよびネガティブ電源の適用競合他社との機能の比較 シリーズ全体の包括的な比較 *...
第24四半期には、NANDフラッシュの収益が4.8％増加しました。エンタープライズレベルのSSDの需要は強力でしたが、消費者の注文は回復しませんでした。
Trendforce（調査およびコンサルティング会社）：2024年第3四半期に、NAND Flashの収益は4.8％増加しました。エンタープライズレベルのSSDに対して強い需要がありましたが、消費者の注文は回復しませんでした。...
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