QINWEI 600V 30A MUR3060P高速回復ダイオード

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製品の属性

モデル: MUR3060P(QINWEI)

ブランド: Qinwei

供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者

参考資料: データシート, 写真

VRRM: 600V

IF(AV): 30A

VF(IF=30A,TC=25℃)Max: 1.7V

IFSM: 300A

TRR（if = 0.5a、ir = 1.0a、IRR ＝0.25a）最大: 55ns

Tj: 150℃

Package: TO-247-2L

梱包と配送

半導体デバイス

超高速回復ダイオード

特徴

*低い逆漏れ電流

*低消費電力、高効率

*高い信頼性

* ROHS準拠製品

アプリケーション

*力率補正（PFC）

* スイッチングモード電源（SMPS）

* その他の電子回路

パッケージとアウトライン

TO-247-2L

最大評価（TC = 25℃）

Parameter	Symbol	Value	Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage	VRRM VRWM VR	600	V
Average Rectified Forward Current (Rated VR, TC = 125°C) Per Diode Per Device	IF(AV)	15 30	A
Surge non repetitive forward current (tp = 8.3 ms sinusoidal)	IFSM	200	A
Storage Temperature Range	Tstg	-55~+150	℃
Operating Junction Temperature	TJ	150	℃

電気的特性

Parameter	Symbol	Max	Unit
Instantaneous Forward Voltage (Note 1) @ IF = 15A, TC = 25°C @ IF = 15A, TC = 125°C	VF	1.65 1.50	V
Instantaneous Reverse Current (Note 1) @ Rated DC Voltage, TC = 25°C @ Rated DC Voltage, TC = 125°C	IR	3 200	uA
Maximum Reverse Recovery Time IF=0.5A, IR= 1.0A,irr＝0.25A	TRR	45	ns

高速回復ダイオード（FRD）は、電子コンポーネントのカテゴリに属する高速スイッチングアプリケーション向けに特別に設計された半導体ダイオードの一種です。そのコア特性は、通常、ナノ秒からマイクロ秒の範囲で、非常に短い逆回復時間です。前方バイアスから逆バイアスに切り替えると、電流の流れが急速に遮断され、それによりスイッチング損失と電磁干渉（EMI）が大幅に減少します。この特性により、スイッチモード電源、インバーター、モータードライブ回路などの高周波回路に適しています。