Guangdong Kinwill Electronic Co., Ltd
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ホーム > 製品情報> 半導体プラスチックパッケージ> IGBTシングルチューブ> 高電圧IGBT DXG25N120H 1200V 25A
高電圧IGBT DXG25N120H 1200V 25A
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製品の説明
製品の属性

モデル: DXG25N120H

供給タイプ: エージェンシー, 元のメーカー, ODM, 小売業者, その他

参考資料: データシート

VCES: 1200V

IC（TC = 25℃）: 50a

IC（TC = 100℃）: 25a

ICM: 100a

If（tc = 100℃）: 25a

IFM: 100

TJ: -55〜 +150

Package: TO-247

VCE(sat): 2.3V

梱包と配送
高電圧IGBT DXG25N120H 1200V 25A
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ
特徴
1200V 、25A、V CE（SAT）（typ。） = 2.3 V@V GE = 15V
高速スイッチング
systemシステム効率が高い
softソフト電流ターンオフ波形
square square rbsoa
一般的な説明
モータードライブ、UPS、インバーター、その他のソフトスイッチングアプリケーションなど、より低い損失とより高いエネルギーをアプリケーションに提供します。
DXG25N120H.1
*離散IGBT （絶縁ゲート双極トランジスタシングルチューブ）は、個別にパッケージ化された半導体電源スイッチングデバイスです。 IGBT構造（通常はアンチパラレルフリーホイールダイオードを使用）を単一のチップに統合し、3つの端子（GATE、コレクター、エミッター）を備えた標準の離散パッケージ（TO-247、TO-220）に収容されています。そのコア機能は、ゲート電圧で制御される高電圧、高電流、高速電子スイッチとして機能することです。
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