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高電圧IGBT DXG15S120H 1200V
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高電圧IGBT DXG15S120H 1200V

最小注文数:1

製品の説明
製品の属性

モデルDXG15S120H

供給タイプ元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料写真, データシート

VCES1200V

IC(TC=25 ℃)30A

IC(TC=100 ℃)15A

ICM60A

もし15a

IFM60a

Vce(sat)(typ。)1.9v@15a

TJ-55 to +150℃

PackageTO-247

梱包と配送
高電圧IGBT DXG15S120H 1200V
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ
特徴
1200V15A 、V CE(SAT)(typ。) = 1.9 V@15a
SPT ソフトパンチスルー)テクノロジー
損失の低下
システム効率が高い
優れた短絡機能
正方形のrbsoa
一般的な説明
IGBTは、モータードライブ、UPS、インバーター、その他のソフトスイッチングアプリケーションなど、より低い損失とアプリケーションのエネルギーを高めます
IGBT TO-247 Package

* IGBTシングルチューブ(または離散IGBT)
単一のIGBTチップ(多くの場合、フリーホイールダイオードが付いている)を孤立したハウジングにパッケージ化するパワー半導体デバイス。

重要な特性:

  • 内部ドライバーのないIGBTユニットは1つだけ含まれています。

  • 外部ゲートドライバー、ヒートシンク、および保護回路が必要です。

  • 設計の柔軟性のための標準化されたパッケージ(例:TO-247、TO-220)。

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