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Guangdong Kinwill Electronic Co., Ltd
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DXG60N65HSEU 650V 60A IGBTシングルチューブ
DXG60N65HSEU 650V 60A IGBTシングルチューブ
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DXG60N65HSEU
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DXG60N65HSEU 650V 60A IGBTシングルチューブ
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ
特徴
60a
で典型的な飽和電圧（VCE（SAT））の650V/60A
フィールドストップIGBTアーキテクチャの上に構築されたパフォーマンスを向上させる
最大10μsの短絡条件に耐えることができる
平方逆バイアスセーフオペレーティングエリア（RBSOA）は信頼性を保証します
サーマルを改善するためのVCE（ON）の正の温度係数
利点
溶接、誘導
加熱、UPS、その他の高周波アプリケーション
の高効率
頑丈なパフォーマンス
並列操作での優れた電流共有
*
離散IGBT
（絶縁ゲート双極トランジスタシングルチューブ）は
、個別にパッケージ化された半導体電源スイッチングデバイスで、
電子コンポーネントのカテゴリに属します。
IGBT構造（通常はアンチパラレルフリーホイールダイオードを使用）を単一のチップに統合し、3つの端子（GATE、コレクター、エミッター）を備えた標準の離散パッケージ（TO-247、TO-220）に収容されています。
そのコア機能は
、ゲート電圧で制御される
高電圧、高電流、高速電子スイッチ
として機能することです
。
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