Guangdong Kinwill Electronic Co., Ltd
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ホーム > 製品情報> 半導体プラスチックパッケージ> IGBTシングルチューブ> 650V 20A IGBTトランジスタDXG20N65PS
650V 20A IGBTトランジスタDXG20N65PS
650V 20A IGBTトランジスタDXG20N65PS
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650V 20A IGBTトランジスタDXG20N65PS

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製品の説明
製品の属性

モデル: DXG20N65PS

供給タイプ: ODM, 元のメーカー, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料: データシート, 写真

VCES: 650V

IC(TC=25℃): 40A

IC（TC = 100℃）: 20a

ICM: 80a

If（tc = 100℃）: 20a

IFM: 80a

VCE(sat)(typ.) = 1.70 V@20A: 1.70V@20A

TJ: -55〜 +150℃

Pakeage: TO-220

梱包と配送
650V 20A IGBTトランジスタDXG20N65PS
半導体離散デバイス - IGBTトランジスタ
重要な仕様
20A電流で1.70Vの典型的なVCE（SAT）による650V/20A評価
高度なフィールドストップIGBTテクノロジーを利用します
10マイクロ秒の短絡耐音時間をサポートします
正方形の逆バイアスセーフオペレーティングエリア（RBSOA）を特徴とする
正のVCE（オン）温度係数。
利点
モーター制御の高効率。
頑丈なパフォーマンス。
並列操作での優れた電流共有
DXG20N65PS_1DXG20N65PS
* 離散IGBT （絶縁ゲート双極トランジスタシングルチューブ）は、個別にパッケージ化された半導体電源スイッチングデバイスで、 電子コンポーネントのカテゴリに属します。 IGBT構造（通常はアンチパラレルフリーホイールダイオードを使用）を単一のチップに統合し、3つの端子（GATE、コレクター、エミッター）を備えた標準の離散パッケージ（TO-247、TO-220）に収容されています。そのコア機能は、ゲート電圧で制御される高電圧、高電流、高速電子スイッチとして機能することです。
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