モデル: NCE25TD120BT
供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他
参考資料: データシート, 写真
VCES: 1200V
IC(TC = 25°C): 50a
IC(TC = 100°C): 25a
ICM: 75a
If(tc = 100°C): 25a
IFM: 75
Vce(sat)(v)@vge = 15v、25℃typ: 1.55V
Vce(sat)(v)@vge = 15v、25°max: 1.8V
TJ: -55〜 +175°C
デバイスパッケージ: TO-247
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ
1200V 25A TRENCH FS II FAST IGBT NCE25TD120BT
一般的な説明:
NCE独自のtrenchデザインと高度なFS(フィールドストップ)セカンドジェネレーションテクノロジーを使用して、1200V Trench FSII IGBTは優れた伝導とスイッチングパフォーマンス、および簡単な並列操作を提供します
特徴
trench fsiiテクノロジー製品
⚫vce非常に低い(sat)
vce(SAT)の正の温度係数
cort非常にタイトなパラメーター分布
ruggedされた高さ、温度安定な挙動
応用
⚫インバーター
⚫モータードライブ
⚫コンバーター
IGBTシングルチューブ(または離散IGBT)
単一のIGBTチップ(多くの場合、フリーホイールダイオードが付いている)を孤立したハウジングにパッケージ化するパワー半導体デバイス。