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1200V 25A TRENCH FS II FAST IGBT NCE25TD120BT
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1200V 25A TRENCH FS II FAST IGBT NCE25TD120BT

最小注文数:1

製品の説明
製品の属性

モデルNCE25TD120BT

供給タイプ元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料データシート, 写真

VCES1200V

IC(TC = 25°C)50a

IC(TC = 100°C)25a

ICM75a

If(tc = 100°C)25a

IFM75

Vce(sat)(v)@vge = 15v、25℃typ1.55V

Vce(sat)(v)@vge = 15v、25°max1.8V

TJ-55〜 +175°C

デバイスパッケージTO-247

梱包と配送
1200V 25A TRENCH FS II FAST IGBT NCE25TD120BT
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ
1200V 25A TRENCH FS II FAST IGBT NCE25TD120BT
一般的な説明:
NCE独自のtrenchデザインと高度なFS(フィールドストップ)セカンドジェネレーションテクノロジーを使用して、1200V Trench FSII IGBTは優れた伝導とスイッチングパフォーマンス、および簡単な並列操作を提供します
特徴
trench fsiiテクノロジー製品
⚫vce非常に低い(sat)
vce(SAT)の正の温度係数
cort非常にタイトなパラメーター分布
ruggedされた高さ、温度安定な挙動
応用
インバーター
⚫モータードライブ
⚫コンバーター
NCE25TD120BTNCE TO-247 Package
IGBTシングルチューブ(または離散IGBT)
単一のIGBTチップ(多くの場合、フリーホイールダイオードが付いている)を孤立したハウジングにパッケージ化するパワー半導体デバイス。

重要な特性:

  • 内部ドライバーのないIGBTユニットは1つだけ含まれています。
  • 外部ゲートドライバー、ヒートシンク、および保護回路が必要です。

  • 設計の柔軟性のための標準化されたパッケージ(例:TO-247、TO-220)。
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