モデル: NCE30TD60B
供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他
参考資料: データシート, 写真
VCES: 600V
IC(TC=25°C): 60A
IC(TC=100°C): 30A
ICpuls: 120A
IF(TC=100°C): 30A
IFM: 120a
VCE(sat)(V)@VGE=15V, 25℃Typ: 1.7V
Vce(sat)(v)@vge = 15v、25°max: 1.9V
TJ: -55〜 +175°C
デバイスパッケージ: TO-220
一般的な説明
NCE独自のトレンチアーキテクチャと高度な第2世代のフィールドストップ(FS II)テクノロジーを採用して、600V Trench FS II IGBTは、優れた伝導とスイッチングパフォーマンスを提供しながら、簡単な並列操作を可能にします。
特徴
TrenchFSIIテクノロジー製品
非常に低いVCE(SAT)
高速スイッチング機能
VCE (SAT)の正の温度係数
しっかりと制御されたパラメーター分布
温度安定操作を伴う堅牢な頑丈さ
応用
空気環境システム
InvErters アプリケーション
モータードライブシステム
* 離散IGBT (絶縁ゲート双極トランジスタシングルチューブ)は、個別にパッケージ化された半導体電源スイッチングデバイスで、 電子コンポーネントのカテゴリに属します。 IGBT構造(通常はアンチパラレルフリーホイールダイオードを使用)を単一のチップに統合し、3つの端子(GATE、コレクター、エミッター)を備えた標準の離散パッケージ(TO-247、TO-220)に収容されています。そのコア機能は、ゲート電圧で制御される高電圧、高電流、高速電子スイッチとして機能することです。