NCE 250V 超高速逆回復 SGT MOSFET 製品紹介

2026,01,24

通信、モーター制御、産業用電源などのハードスイッチングアプリケーションでは、パワー MOSFET の逆回復特性がシステムの効率と信頼性に大きな影響を与えます。パワー MOSFET の逆回復電荷は大きいため、システム効率の低下や電圧スパイクなどの問題が発生し、より高い性能と信頼性を目指したシステムのさらなる開発が制限されます。 New Energy Solutions は、超高速逆回復特性を備えた 250V SGT パワー MOSFET NCEP025S90T を発売しました。前世代の製品と比較して、逆回復充電が大幅に削減され、高いパフォーマンスと信頼性が求められるハードスイッチングアプリケーションに最適なオプションを提供します。

コアアドバンテージ

表 1: NCEP025S90T と NCEP02590T の逆回復の比較テスト結果

図1：NCEP025S90TとNCEP02590Tの逆回復の比較試験波形

2. より広いRRSOA（逆回復安全動作領域）

安全動作領域の逆回復は、MOSFET ボディダイオードの動的電流共有能力を評価するための重要な指標です。実験はテスト用デュアルパルス回路を使用して行われました。テスト回路図とテストプラットフォームの物理図をそれぞれ図 2 と図 3 に示します。試験方法は以下の通りです。スイッチング管Q1、分電管Q2をそれぞれNCEP025S90T、NCEP02590Tに交換して試験を行いました。試験中、Vgs のパルス幅 T1 を順次増加させ、T2 期間の分電管の電流もそれに応じて増加しました。 T3 の立ち上がりエッジが到達すると、電流分割管は逆回復段階に入りました。このとき、分流管の電流が逆回復能力の上限に達すると、分流管が破損してしまいます。 T2 期間中の電流分配管の電流 ISD と、電流分配管がテストにスムーズに合格できるかどうかを記録しました。最終的なテスト結果を表 2 に示します。この結果は、NCEP025S90T の逆回復安全ゾーンが NCEP02590T の逆回復安全ゾーンよりも 5 倍以上高いことを示しています。