[新製品リリース] CRMICRO、BMS の効率的かつ信頼性の高い動作を保証する第 5 世代高性能 SGT MOS 製品を発売

2026,04,02

新エネルギー車やエネルギー貯蔵システムに対するバッテリー性能要件の継続的な改善に伴い、バッテリーシステムはより高電圧、より大容量、より高いエネルギー密度を目指して進化しています。そのため、バッテリーの航続距離、寿命、安全性に対する市場の厳しい要求を常に満たすために、コアコンポーネントであるバッテリー管理システム (BMS) が、より高い精度、強力な監視機能、およびより高い安全レベルを備えている必要があります。関連機関の予測によると、世界のBMS市場規模は2027年までに1,000億元を超えると予想されており、エネルギー変革における重要な成長分野となる。この急速に成長する市場セグメントをターゲットに、チャイナリソースマイクロエレクトロニクスのパワーインテグレーションビジネスグループ (PIBG) は第 5 世代 SGT MOSFET - CRSZ014N08N5Z を発売し、世界の BMS 市場に技術と製品エクスペリエンスの画期的な進歩をもたらしました。

△ 製品パッケージ形状：TOLL

1. 製品紹介

PIBG が発売した CRSZ014N08N5Z は、同社の第 5 世代 SGT テクノロジープラットフォームの最新成果です。総合性能が大幅に向上しました。 CRSZ014N08N5Z は、前世代の製品と比較して、SOA や UIS などの主要な指標が大幅に改善されており、BMS アプリケーションに対してより安全で信頼性の高いソリューションを提供できます。

2.製品の優位性

2.1.大幅なパフォーマンスの向上

測定パラメータの比較：業界の主流製品（最大オン抵抗約1.4mΩ）と比較して、CRSZ014N08N5Zの測定RDS(on)は最も低くなります。その VTH の標準値は 3.1V で、定常状態の導通中にチャネルが完全に開いたときに低い RDS(on) という要件を満たすだけでなく、ターンオフ中のより高速なターンオフしきい値も可能になります。

△ DCパラメータテスト

SOA 特性: BMS の主回路保護および電力制御シナリオでは、MOSFET の SOA 特性は、安全で信頼性の高い動作を確保するための重要な要素です。システムの安全かつ安定した動作の要件を満たすために、PIBG は第 5 世代 SGT テクノロジープラットフォームに基づいて、MOSFET の SOA 特性を厳密に定義し、最適化しました。

実際の測定と波形の比較により、同じ Roff 条件下で、BMS の低速シャットダウン機能をシミュレーションした場合、CRSZ014N08N5Z の短絡電流耐衝撃性が前世代製品と比較して大幅に向上し、極限状況への対応において BMS に顕著な利点がもたらされたことがわかります。

△第5世代CRSZ014N08N5ZのSOA特性測定結果

△前世代CRSZ014N08N4ZのSOA特性の測定結果

△ CRSZ014N08N5Zの実測SOA特性データと前世代CRSZ014N08N4Zの比較

UIS 機能: CRSZ014N08N5Z の UIS 機能の実測データを前世代 CRSZ014N08N4Z と比較したものは次のとおりです。

△第5世代CRSZ014N08N5ZのUI波形の実測

△前世代CRSZ014N08N4Zの実測UI波形

Rsp の大幅な最適化に基づいて、PIBG は革新的な製品設計と構造の最適化を通じて第 5 世代 SGT MOSFET の SOA と UIS を大幅に強化しました。これにより、BMS アプリケーションでより高い信頼性を提供できるだけでなく、より優れたコスト管理も実現できるため、顧客に競争力とコスト効率の高いソリューションを提供できます。