N-Channel 650V 11a Power MOSFET LSD65R380GT

最小注文数:1

製品の属性

モデル: LSD65R380GT

供給タイプ: エージェンシー, ODM, 元のメーカー, 小売業者, その他

参考資料: データシート

VDSS: 650V

ID: 11A

RDS（オン）最大: 0.38Ω

デバイスパッケージ: TO-220F

CISS: 920pf

動作温度: -55〜 +150℃

梱包と配送

説明

Lonfet TM Power MOSFETは、高度なスーパージャンクションテクノロジーを使用して製造されています。得られたデバイスの抵抗は非常に低いため、優れた出力密度と優れた効率を必要とするアプリケーションに特に適しています。

特徴

⚫ 超低RDS（オン）

⚫超低ゲートチャージ（typ。qg= 21nc）

⚫100 ％UISテスト

Rohs準拠

アプリケーション

⚫ 力率補正（PFC）

⚫スイッチ付きモード電源（SMPS）

autrupturedurdurdurdultible Power Supply（UPS）

Absolute Maximum Ratings
Parameter		Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage		VDSS	650	V
Continuous drain current 1)	( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	11 7	A A
Pulsed drain current 2)		IDM	33	A
Gate-Source voltage		VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 3)		EAS	270	mJ
Power Dissipation		PD	30	W
Operating and Storage Temperature Range		TJ , TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current		IS	11	A
Diode pulse current		IS,pulse	33	A

注：

1。最大接合温度とデューティサイクル、TO-220に相当する。

2。最大接合温度により制限されていると、最大デューティサイクルは0.75です。

3。IAS= 3a、L = 60MH、VDD = 60V、開始TJ = 25°C。