N-Channel 650V 7a Power Mosfet LND7N65D

最小注文数:1

製品の属性

モデル: LND7N65D

供給タイプ: エージェンシー, 元のメーカー, ODM, 小売業者, その他

参考資料: データシート

VDSS: 650V

ID: 7A

RDS（オン）最大: 1.4Ω

CISS: 1095pf

デバイスパッケージ: TO-220F

動作温度: -55〜 +150°C

梱包と配送

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N-Channel 650V 7a Power Mosfet LND7N65D

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半導体離散デバイス

650V 7A N-CHANNEL POWER MOSFET

lnd7n65d

製品の概要

VDSS：650V

ID：7a

RDS（ON）、MAX：1.4Ω

QG、型：23.5NC

説明

Power MOSFETは、 Advanced Planar VDMOSテクノロジーを使用して製造されています。結果として得られるデバイスは、伝導抵抗が低く、優れたスイッチング性能、雪崩エネルギーが高くなっています。

特徴

低いr ds（on）

低ゲートチャージ（typ。qg = 23.5nc ）

100 ％UISテスト

ROHS準拠

アプリケーション

力率補正。

スイッチ付きモード電源。

LEDドライバー。

 中断性電源（ UPS ）

Absolute Maximum Ratings
Parameter		Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage		VDSS	650	V
Continuous drain current 1)	( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	7 4.4	A A
Pulsed drain current 2)		IDM	28	A
Gate-Source voltage		VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 3)		EAS	361	mJ
Power Dissipation		PD	40	W
Operating and Storage Temperature Range		TJ , TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current		IS	7	A
Diode pulse current		IS,pulse	28	A

注：

1。最大接合温度、To-220に相当する排水電流。

2。繰り返し評価：パルス幅が最大接合温度によって制限されています。

3。IAS= 8.5a、L = 10MH、VDD = 60V、開始TJ = 25°C。