高電圧n-チャンネルMOSFET LSB65R041GF

最小注文数:1

製品の属性

モデル: LSB65R041GF

供給タイプ: 元のメーカー, ODM, 小売業者, その他, エージェンシー

参考資料: 写真, データシート

VDSS: 650V

ID: 78A

RDS（オン）、マックス: 41mΩ

デバイスパッケージ: TO-247

動作温度: -55〜 +150°C

CISS: 7647pf

梱包と配送

説明

Lonfet TM Power MOSFETは、高度なスーパージャンクションテクノロジーを使用して製造されています。得られたデバイスの抵抗は非常に低いため、優れた出力密度と優れた効率を必要とするアプリケーションに特に適しています。

特徴

超低いr ds（on）

超低ゲートチャージ（typ。qg = 169nc ）

100 ％UISテスト

ROHS準拠

アプリケーション

力率補正（PFC）。

スイッチモード電源（SMPS）。

autrured廃棄物のない電源（UPS）。

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	78 49.3	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	234	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	1626	mJ
Power Dissipation	PD	658	W
MOSFET dv/dt Ruggedness, VDS ≤480V	dv/dt	80	V/ns
Reverse Diode dv/dt, VDS ≤480V, ISD ≤ID	dv/dt	50	V/ns
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	78	A
Diode pulse current	IS,pulse	234	A