高電圧NチャンネルパワーMOSFET LSB65R070GF

最小注文数:1

製品の属性

モデル: LSB65R070GF

供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料: 写真, データシート

VDSS: 650V

ID: 49A

CISS: 4970pf

デバイスパッケージ: TO-247

動作温度: -55〜 +150°C

RDS（オン）、マックス: 0.18Ω

梱包と配送

説明

Lonfet TM Power MOSFETは、高度なスーパージャンクションテクノロジーを使用して製造されています。得られたデバイスの抵抗は非常に低いため、優れた出力密度と優れた効率を必要とするアプリケーションに特に適しています。

特徴

⚫ウルトラ低いr ds（on）

⚫超低ゲートチャージ（ typ。qg = 95nc）

⚫100 ％UISテスト

Rohs準拠

アプリケーション

⚫力係数（PFC）。

switchedモードモード電源（SMPS）。

autrured廃棄物のない電源（UPS）。

パッケージ：TO-247

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	49 31	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	147	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	872	mJ
Power Dissipation	PD	419	W
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	49	A
Diode pulse current	IS,pulse	147	A