高電圧NチャンネルパワーMOSFET LNB20N65

最小注文数:1

製品の属性

モデル: LNB20N65

供給タイプ: ODM, 元のメーカー, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料: 写真, データシート

VDSS: 650V

ID: 20A

RDS（オン）、マックス: 0.5Ω

CISS: 2962pf

デバイスパッケージ: TO-247

動作温度: -55〜 +150°C

梱包と配送

説明

Power MOSFETは、 Advanced Planer VDMOSテクノロジーを使用して製造されています。結果として得られるデバイスは、伝導抵抗が低く、優れたスイッチング性能、雪崩エネルギーが高くなっています。

特徴

低いr ds（オン）

低ゲートチャージ（typ。qg = 58.3 nc ）

100 ％UISテスト

ROHS準拠

アプリケーション

力率補正。

switchされたモード電源。

LEDドライバー。

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	20 12.5	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	80	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	720	mJ
Peak diode recovery dv/dt 3)	dv/dt	5	V/ns
Power Dissipation TO-220F ( TC = 25°C ) Derate above 25°C	PD	45 0.36	W W/°C
Power Dissipation TO-247/TO-220 ( TC = 25°C ) Derate above 25°C	PD	250 2	W W/°C
Operating junction and storage temperature range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	20	A
Diode pulse current	IS,pulse	80	A