高電圧Nチャンネル電力MOSFET LSD65R180GF

最小注文数:1

製品の属性

モデル: LSD65R180GF

供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料: データシート, 写真

VDSS: 650V

ID: 20A

RDS（オン）、マックス: 0.18Ω

Ciss: 1871pF

デバイスパッケージ: TO-220F

動作温度: -55〜 +150°C

梱包と配送

説明

このPower Mosfetは、その構造に高度なスーパージャンクションテクノロジーを採用しています。エンジニアリングされたデバイスは最小限の抵抗を提供し、優れた出力密度と卓越した効率を要求するアプリケーションに理想的に適しています。

特徴

ウルトラローR DS（オン）

 ゲートチャージの削減（typ。qg= 40.2nc）

 完全にuis（未処理の誘導スイッチング）がテストされました

ROHS準拠

アプリケーション

力率補正（PFC）。

切り替えモード電源（SMPS）。

中断性電源（UPS）。

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current 1) ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	20 12.6	A A
Pulsed drain current 2)	IDM	60	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 3)	EAS	608	mJ
Power Dissipation	PD	34	W
MOSFET dv/dt Ruggedness, VDS ≤480V	dv/dt	80	V/ns
Reverse Diode dv/dt, VDS ≤480V, ISD ≤ID	dv/dt	50	V/ns
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	20	A
Diode pulse current	IS,pulse	60	A