高性能Nチャネル650V 20A POWER MOSFET LSD65R180GT

最小注文数:1

製品の属性

モデル: LSD65R180GT

供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, その他, 小売業者

参考資料: 写真, データシート

VDSS: 650V

ID: 20A

RDS（オン）、マックス: 0.18Ω

Ciss: 1871pF

デバイスパッケージ: TO-220F

動作温度: -55〜 +150°C

梱包と配送

説明

Power Mosfetは、高度なスーパージャンクションテクノロジーを使用して製造されています。得られたデバイスの抵抗は非常に低いため、優れた出力密度と優れた効率を必要とするアプリケーションに特に適しています。

製品の概要

VDS @ TJ、Max：700V

RDS（オン）、最大：0.18Ω

IDM：60a

QG、型：40.2 NC

特徴

⚫ウルトラ低いr ds（on）

⚫超低ゲートチャージ（typ。qg = 40.2nc ）

⚫100 ％UISテスト

Rohs準拠

アプリケーション

switchedモードモード電源（SMPS）。

autrured廃棄物のない電源（UPS）。

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current 1) ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	20 12.6	A A
Pulsed drain current 2)	IDM	60	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 3)	EAS	600	mJ
Power Dissipation	PD	34	W
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	20	A
Diode pulse current	IS,pulse	60	A