高電圧NチャンネルパワーMOSFET LSD65R380GF

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モデル: LSD65R380GF

供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料: 写真, データシート

VDSS: 650V

ID: 11A

RDS（オン）、マックス: 0.38Ω

CISS: 920pf

デバイスパッケージ: TO-220F

動作温度: -55〜 +150°C

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650V N-CHANNEL MOSFET

Power MOSFET 11A、650V、0.38Ω -LSD65R380GF

製品の概要

v ds @ t j、max： 700v

r ds（on）、max： 0.38Ω

I DM： 33a

Q G、型： 21nc

説明

このPower MOSFETは、高度なスーパージャンクションテクノロジーを使用して製造されています。得られたデバイスの抵抗は非常に低いため、優れた出力密度と優れた効率を必要とするアプリケーションに特に適しています。

特徴

⚫ウルトラ低いr ds（on）

⚫超低ゲートチャージ（typ。qg = 21nc ）

⚫100 ％UISテスト

Rohs準拠

アプリケーション

⚫力係数（PFC）。

switchedモードモード電源（SMPS）。

autrured廃棄物のない電源（UPS）。

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current 1) ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	11 7	A A
Pulsed drain current 2)	IDM	33	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 3)	EAS	269	mJ
Power Dissipation	PD	30	W
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	11	A
Diode pulse current	IS,pulse	33	A

* MOSFETは、金属酸化物 - 依存症のフィールド効果トランジスタであり、電子コンポーネントのより広いカテゴリ内の電圧制御半導体デバイスとして分類され、ゲート端子に電圧を適用することにより、ソース端子と排水端子間の電流の流れを調節します。 MOSFETは、電力管理、パワー増幅、スイッチングなど、最新の電子機器で広く使用されています。