高電圧Nチャンネル電力MOSFET LNA20N50W

最小注文数:1

製品の属性

モデル: LNA20N50W

供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料: 写真, データシート

VDSS: 500V

ID: 22A

RDS(on),max: 0.29Ω

Ciss: 2915pF

Device Package: TO-3P

Operating Temperature: -55 to +150°C

梱包と配送

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高電圧NチャンネルパワーMOSFET LNA20N50W

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パワー半導体デバイス

高電圧Nチャンネル電力MOSFET LNA20N50W

説明

このPower MOSFETは、高度な平面VDMOS製造技術を利用して、抵抗が低く、スイッチング効率が向上し、雪崩が高くなっています。

特徴

◆ 超低オン耐性（RDS（オン））

◆低ゲートチャージ（typ。qg = 58 nc ）

◆ 100％UISテスト

◆ ROHS準拠

アプリケーション

◆力率補正

◆高効率スイッチモード電源（SMPS）

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	500	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	22 14	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	88	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	1201	mJ
Power Dissipation ( TC = 25°C )	PD	321	W
Operating junction and storage temperature range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	22	A
Diode pulse current	IS,pulse	88	A