高電圧Nチャンネル電力MOSFET LND4N65

最小注文数:1

製品の属性

モデル: LND4N65

供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料: データシート, 写真

VDSS: 650V

ID: 4A

RDS（オン）、マックス: 2.7Ω

CISS: 550pf

デバイスパッケージ: TO-220F

動作温度: -55〜 +150°C

梱包と配送

高電圧NチャンネルMOSFET LND4N65

このPower MOSFETは、高度な平面VDMOSテクノロジーを使用して開発されています。設計されたデバイスは、抵抗が低く、優れたスイッチング特性、雪崩エネルギー能力が高いことを提供します。

⚫ （on）低いr ds

⚫ゲートが低い（typ。qg = 13.3nc ）

⚫ 完全にuis（xlamplamped ductive switching）テスト

⚫ROHS コンプライアンス認定

アプリケーション

⚫電力補正（PFC）回路

⚫高周波スイッチモード電源（SMPS）

RED LED照明ドライバー

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current 1) ( TC = 25°C ) ( TC= 100°C )	ID	4 2.5	A A
Pulsed drain current 2)	IDM	16	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 3)	EAS	199	mJ
Power Dissipation	PD	27	W
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	4	A
Diode pulse current	IS,pulse	16	A

パッケージマーキングと注文情報

Device	Device Package	Marking	Units/Tube
LND4N65	TO-220F	LND4N65	50