高電圧NチャンネルパワーMOSFET LNB20N60

最小注文数:1

製品の属性

モデル: LNB20N60

供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料: データシート, 写真

VDSS: 600V

ID: 20A

RDS（オン）、マックス: 0.45Ω

CISS: 2960pf

デバイスパッケージ: TO-247

Operating Temperature: -55 to +150°C

梱包と配送

高電圧NチャンネルMOSFET LNB20N60

製品プロファイル

高度な平面VDMOSアーキテクチャを利用するこのパワーMOSFETは、超低RDS（オン）、優れたスイッチング速度、堅牢な雪崩エネルギー能力を特徴とする高性能デバイスを提供します。

（平面VDMOは、平面技術を使用して製造されたパワーモスフェットの一種で、排水路（下）からソース（上）への垂直電流の流れを特徴としています。その重要な特徴は、ドーパント（例えば、ホウ素とリン）の二重拡散を介したチャネル領域の形成であり、チャネルの長さと高崩壊電圧の正確な制御を可能にします。

重要な機能

 超低RDS（オン）

低ゲートチャージ（typ。qg = 63.7 nc ）

dramplamplamplamplamplamplamplamplamped Ductive Switching（UIS）頑丈さについて100％テスト

ROHS 環境基準に準拠しています

アプリケーション

力率補正（PFC）システム

 スイッチモード電源（SMPS）アプリケーション

ED ドライバーサーキット

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	600	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	20 12.5	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	80	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	845	mJ
Peak diode recovery dv/dt 3)	dv/dt	5	V/ns
Power Dissipation TO-220F ( TC = 25°C ) Derate above 25°C	PD	45 0.36	W W/°C
Power Dissipation TO-247/TO-220 ( TC = 25°C ) Derate above 25°C	PD	250 2	W W/°C
Operating junction and storage temperature range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	20	A
Diode pulse current	IS,pulse	80	A