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PTW90N20 200V NチャンネルパワーMOSFET
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PTW90N20 200V NチャンネルパワーMOSFET

最小注文数:1

製品の説明
製品の属性

モデルPTW90N20

供給タイプ元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料データシート, 写真

VDSS200V

ID94A

Rds(on)、typ20mΩ

CISS6280pf

動作温度-55〜150℃

Device PackageTO-3P

梱包と配送
200V N-Channel Mosfet
Power Mosfet -PTW90N20
(* MOSFET(金属酸化物 - 陰導体フィールド効果トランジスタ)は、電圧制御半導体デバイスであり、電子コンポーネントのカテゴリに属し 電圧をゲート端子に適用することにより、ソース端子と排水端子間の電流を調節します。)

技術的なハイライト:

  • 高度な独自の平面プロセス技術

  • 低耐性:RDS(ON)=20MΩ(typ。) @ VGS = 10V

  • 低ゲートチャージは、スイッチング損失を減らします

  • 高速回復ボディダイオード(効率を改善するため)

ターゲットアプリケーション:

  • ブラシレスDC(BLDC)モーターコントローラー

  • パワーインバーター

  • DC-DCコンバーター

  • 途切れやすい電源用のDC-ACインバーター(UPS)

  • スイッチモード電源(SMPS)およびモーター制御システム

PTW90N20 TO-3P
絶対最大評価
Symbol Parameter PTW90N20 Unit
VDSS Drain-to-Source Voltage 200 V
VGSS Gate-to-Source Voltage ±20
ID Continuous Drain Current 94 A
ID @ Tc =100 Continuous Drain Current @ Tc=100 70
IDM Pulsed Drain Current at VGS=10V 380
EAS Single Pulse Avalanche Energy 2800 mJ
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns
PD Power Dissipation 580 W
Derating Factor above 25 3.8 W/
TL
TPAK
Maximum Temperature for Soldering
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10
seconds, Package Body for 10 seconds
              300              
260
TJ& TSTG Operating and Storage Temperature Range -55 ~150
ホット製品
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