モデル: PTF09N150
供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他
参考資料: データシート, 写真
VDSS: 1500V
ID: 9A
RDS(ON),typ: 2.8Ω
CISS: 3383pf
動作温度: -55〜150°C
デバイスパッケージ: TO-247
高出力デザイン
優れた熱性能
3つのリードスルーホール構造
高い分離電圧

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Symbol |
Parameter |
PTF09N150 |
Unit |
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VDSS |
Drain-to-Source Voltage |
1500 |
V |
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VGSS |
Gate-to-Source Voltage |
±30 |
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ID |
Continuous Drain Current |
9 |
A |
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IDM |
Pulsed Drain Current at VGS=10V |
36 |
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EAS |
Single Pulse Avalanche Energy |
450 |
mJ |
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PD |
Power Dissipation |
320 |
W |
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Derating Factor above 25℃ |
2.56 |
W/℃ |
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TL |
Soldering Temperature Distance of 1.6mm from case for 10 seconds |
300 |
℃ |
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TJ& TSTG |
Operating and StorageTemperatureRange |
-55 to 150 |
* MOSFET(金属酸化物 - 陰導体フィールド効果トランジスタ)は、電圧制御半導体デバイスであり、電子コンポーネントのカテゴリに属します。この1500V N-Channel MOSFETは、SMPSおよび同様の電力システムのスタンバイパワーマネジメントで遍在しています。