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1200V N-CHANNEL MOSFET PTF12N120高出力トランジスタ
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1200V N-CHANNEL MOSFET PTF12N120高出力トランジスタ

最小注文数:1

製品の説明
製品の属性

モデルPTF12N120

供給タイプ元のメーカー, エージェンシー, ODM, 小売業者, その他

参考資料写真, データシート

VDSS1200V

ID12A

Rds(on)、typ1.2Ω

CISS3300pf

動作温度-55〜150°C

デバイスパッケージTO-247

梱包と配送
1200V N-CHANNEL MOSFET PTF12N120
1200V N-CHANNEL MOSFET
Power Mosfet -PTF12N120
重要な機能
  • 高速スイッチング機能
  • 典型的なRDS(ON)=1.2Ω @ VGS = 10V
  • スイッチング損失を減らすための低ゲートチャージ
  • 迅速な回復特性を備えたボディダイオード

典型的なアプリケーション

  • ACアダプター

  • バッテリー充電器

    • SMPSのスタンバイ電源(スイッチモード電源)

PTF12N120 Package
絶対最大評価

Symbol

Parameter

Maximum Rating

Unit

VDSS

Drain-to-Source Voltage

1200

V

VGSS

Gate-to-Source Voltage

±30

ID

Continuous Drain Current

12

 

A

Continuous Drain Current @ Tc=100

7

IDM

Pulsed Drain Current at VGS=10V[2,4]

48

EAS

Single Pulse Avalanche Energy

700

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt[3]

5.0

V/ns

PD

Power Dissipation

380

W

Derating Factor above 25

3.04

W/

TL

TPAK

Maximum Temperature for Soldering

Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for  10 seconds, Package Body for 10 seconds

300

260

 

TJ& TSTG

Operating and StorageTemperatureRange

-55 to 150

* MOSFETは、金属酸化物 - 依存症のフィールド効果トランジスタであり、電子コンポーネントのより広いカテゴリ内の電圧制御半導体デバイスとして分類され、ゲート端子に電圧を適用することにより、ソース端子と排水端子間の電流の流れを調節します。
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