信頼できる使用のための高電圧900V N-Channel MOSFET PTF24N90

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製品の属性

モデル: PTF24N90

供給タイプ: 元のメーカー, エージェンシー, ODM, 小売業者, その他

参考資料: 写真, データシート

VDSS: 900V

ID: 24A

Rds（on）、typ: 320mΩ

CISS: 7500pf

動作温度: -55〜150℃

デバイスパッケージ: TO-247

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900V N-Channel Mosfet

Power Mosfet -PTF24N90

機能と利点

高度な平面プロセスで製造
典型的なRDS（ON）=320MΩ @ VGS = 10V
低ゲートチャージは、スイッチング損失を最小限に抑えます
頑丈なポリシリコンゲート構造

典型的なユースケース

BLDCモータードライバー
電気溶接装置
高効率SMPS（スイッチモード電源）

絶対最大評価

Symbol	Parameter	Maximum Rating	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	900	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	24	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc=100℃	15
IDM	Pulsed Drain Current at VGS=10V[2,4]	96
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	3200	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	660	W
PD	Derating Factor above 25℃	5.26	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

注記：

[1] tj = +25 ℃〜 +150℃。

[2]シリコンリミテッド電流のみ。

[3]パッケージ限定電流。

* MOSFET（金属酸化物 - 陰導体フィールド効果トランジスタ）は、電圧制御半導体デバイスであり、電子コンポーネントのカテゴリに属し、電圧をゲート端子に適用することにより、ソース端子と排水端子間の電流フローを調節します。そのコア構造は、金属ゲート、絶縁酸化物層（通常はSIO₂）、および半導体チャネルで構成されています。主な機能には、入力インピーダンスが高い、ドライブ電力が低く、高速スイッチング速度が含まれます。