1500V N-CH高平面MOSFET PTH03N150

最小注文数:1

製品の属性

モデル: PTH03N150

供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料: データシート, 写真

VDSS: 1500V

ID: 3A

RDS(ON),typ: 5.4Ω

Ciss: 1600pF

動作温度: -55〜150℃

デバイスパッケージ: to-3pf

梱包と配送



1500V N-CH高平面MOSFET PTH03N150



1500V N-CH高平面MOSFET

Power Mosfet -PTH03N150

一般的な機能

ROHS準拠

r ds （on）、typ。 =5.4Ω@v gs = 10V

低ゲートチャージは、スイッチング損失を最小限に抑えます

高速回復ボディダイオード

アプリケーション

アダプター

充電器

SMPSスタンバイパワー

絶対最大 評価

Symbol	Parameter	PTH03N150	PTA03N150	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	1500		V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30		V
ID	Continuous Drain Current	3		A
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V	12		A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy,L=30mH	500		mJ
PD	Power Dissipation	90	35	W
PD	Derating Factor above 25℃	0.72	0.28	W/℃
TL	Soldering Temperature Distance of 1.6mm from case for 10 seconds	300		℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150		℃

* MOSFETは、金属酸化物 - 依存症のフィールド効果トランジスタであり、電子コンポーネントのより広いカテゴリ内の電圧制御半導体デバイスとして分類され、ゲート端子に電圧を適用することにより、ソース端子と排水端子間の電流の流れを調節します。