600V N-CHANNEL MOSFET PTW26N60

最小注文数:1

製品の属性
梱包と配送
Other information

製品の属性

モデル: PTW26N60

供給タイプ: 元のメーカー, エージェンシー, 小売業者, その他, ODM

参考資料: データシート, 写真

VDSS: 600V

ID: 26A

Rds（on）、typ: 250mΩ

CISS: 4.28pf

動作温度: -55〜150℃

Device Package: TO-3P

梱包と配送

600V N-CHANNEL MOSFET

Power MOSFET -600V 26A PTW26N60

アプリケーション

bldcモータードライバー

電気溶接機

高効率SMPS

一般的な機能

高度な平面プロセス

RDS （ON）、typ。=250MΩ@VGS = 10V

低ゲートチャージは、スイッチング損失を最小限に抑えます

頑丈なポリシリコンゲート構造

一般的な機能

高度な平面プロセス

RDS （ON）、typ。=250MΩ@VGS = 10V

低ゲートチャージは、スイッチング損失を最小限に抑えます

頑丈なポリシリコンゲート構造

絶対最大 評価

Symbol	Parameter	PTW26N60	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	600	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	26	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc= 100℃	17
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2,4]	104
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	1500	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	264	W
PD	Derating Factor above 25℃	2.11	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

* MOSFET（金属酸化物 - 陰導体フィールド効果トランジスタ）は、電圧制御半導体デバイスであり、電子コンポーネントのカテゴリに属し、電圧をゲート端子に適用することにより、ソース端子と排水端子間の電流フローを調節します。そのコア構造は、金属ゲート、絶縁酸化物層（通常はSIO₂）、および半導体チャネルで構成されています。主な機能には、入力インピーダンスが高い、ドライブ電力が低く、高速スイッチング速度が含まれます。