500V N-CHANNEL MOSFET PTW28N50

最小注文数:1

製品の属性
梱包と配送
Other information

製品の属性

モデル: PTW28N50

供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料: 写真, データシート

VDSS: 500V

ID: 28A

RDS(ON),typ: 170mΩ

Ciss: 4300pF

動作温度: -55〜150℃

Device Package: TO-3P

梱包と配送

500V N-CHANNEL MOSFET

Power MOSFET -500V 28A PTW28N50

一般的な機能

Advanced Advanced Planarテクノロジーを使用して製造されています

r ds （on）、typ。 =170MΩ@v gs = 10v

gate低ゲートチャージは、スイッチング損失を最小限に抑えます

頑丈なポリシリコンゲート構造

アプリケーション

 再生可能エネルギーシステム

bldcモータードライバー

高効率SMPS

 家電製品

パッケージ：To-3p、金属熱散逸のバックプレートを備えたプラスチックハウジング。

は、高出力トランジスタ（MOSFET、IGBT、双極電力トランジスタを含む）の標準パッケージタイプで、統合された金属バックプレートヒートシンク、3つのリード、およびスルーホール取り付けを備えたプラスチックのカプセル化を備えています。

絶対最大 評価

Symbol	Parameter	PTW28N50	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	500	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	28	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc= 100℃	18
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2,4]	110
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	2078	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	300	W
PD	Derating Factor above 25℃	2.38	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

* MOSFETは、金属酸化物 - 依存症のフィールド効果トランジスタであり、電子コンポーネントのより広いカテゴリ内の電圧制御半導体デバイスとして分類され、ゲート端子に電圧を適用することにより、ソース端子と排水端子間の電流の流れを調節します。そのコア構造は、金属ゲート、絶縁酸化物層（通常はSIO₂）、および半導体チャネルで構成されています。主な機能には、入力インピーダンスが高い、ドライブ電力が低く、高速スイッチング速度が含まれます。