250V N-Channel MOSFET PTW50N25

最小注文数:1

製品の属性

モデル: PTW50N25

供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料: 写真, データシート

VDSS: 250V

ID: 50A

Rds（on）、typ: 45mΩ

CISS: 3560pf

動作温度: -55〜150℃

Device Package: TO-3P

梱包と配送

NチャンネルMOSFET

Power MOSFET 250V 50A PTW50N25

一般的な機能

独自の新しい平面技術

r ds （on）、typ。 =45mΩ@v gs = 10v

低ゲートチャージは、スイッチング損失を最小限に抑えます

高速回復ボディダイオード

アプリケーション

DC -DC電源コンバーター

 中断性のない電源用のDC-ACインバーター（UPS）

 スイッチモード電源（SMPS）とモータードライブ

絶対最大 評価

Symbol	Parameter	Rating	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage[ 1]	250	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
ID	Continuous Drain Current	50	A
ID @ Tc =100℃	Continuous Drain Current @ Tc= 100℃	25
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2]	200
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	1250	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	278	W
PD	Derating Factor above 25℃	1.0	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

注記：

[1] t j = +25 ℃ 〜 +150 ℃

[2]繰り返し評価。パルス幅は最大接合温度によって制限されています。

[3] I SD = 20A DI/DT <100 A/μS、V DD <BV DSS 、T J =+150 ℃ 。

[4]パルス幅以下380µs;デューティサイクル以下。

* MOSFETは、金属酸化物 - 依存症のフィールド効果トランジスタであり、電子コンポーネントのより広いカテゴリ内の電圧制御半導体デバイスとして分類され、ゲート端子に電圧を適用することにより、ソース端子と排水端子間の電流の流れを調節します。