高電圧NチャンネルMOSFET PTW69N30B

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モデル: PTW69N30B

供給タイプ: 元のメーカー, ODM, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料: データシート, 写真

VDSS: 300V

ID: 69A

Rds（on）、typ: 40mΩ

CISS: 5790pf

動作温度: -55〜150℃

Device Package: TO-3P

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300V NチャネルMOSFET PTW69N30B

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300V N-CHANNEL MOSFET

SMPS用のパワーMOSFET -PTW69N30B

一般的な機能

高度な平面プロセス

r ds （on）、typ。 =40MΩ@v gs = 10v

低ゲートチャージは、スイッチング損失を最小限に抑えます

頑丈なポリシリコンゲート構造

アプリケーション

bldcモータードライバー

電気溶接機

高効率SMPS

絶対最大 評価

Symbol	Parameter	PTW69N30B	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage	300	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±30	V
ID	Continuous Drain Current	69	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc= 100℃	42
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2,4]	276
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	4494	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	520	W
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

* MOSFETは、金属酸化物 - 依存症のフィールド効果トランジスタであり、電子コンポーネントのより広いカテゴリ内の電圧制御半導体デバイスとして分類され、ゲート端子に電圧を適用することにより、ソース端子と排水端子間の電流の流れを調節します。 MOSFETは、現代の電子機器で広く使用されています。