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200V N-Channel MOSFET SPTF20R10
200V N-Channel MOSFET SPTF20R10
200V N-Channel MOSFET SPTF20R10
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200V N-Channel MOSFET SPTF20R10

200V N-Channel MOSFET SPTF20R10

最小注文数:1

製品の説明
製品の属性

モデルSPTF20R10

供給タイプODM, 元のメーカー, エージェンシー, 小売業者, その他

参考資料写真, データシート

VDSS200V

ID110A

RDS(ON),typ9.3mΩ

Ciss10656pF

動作温度-55〜150℃

デバイスパッケージTO-247

梱包と配送
200V N-Channel MOSFET SPTF20R10
200V N-Channel Mosfet
Power MOSFET -SPTF20R10
一般的な機能
独自の新しいトレンチテクノロジー
r ds (on)、typ。 =9.3mΩ@vGS = 10V
低ゲートチャージは、スイッチング損失を最小限に抑えます
高速回復ボディダイオード
アプリケーション
DC /DCコンバーター
high周波数のスイッチング同期修正に最適です
SPTF20R10 TO-247 Package

絶対  最大 評価

Symbol

Parameter

Limit

Unit

VDSS

Drain-to-Source Voltage[1]

200

V

VGSS

Gate-to-Source Voltage

±20

ID

Continuous Drain Current

110

 

A

Continuous Drain Current @ Tc=100

75

IDM

Pulsed Drain Current at VGS=10V[2]

440

EAS

Single Pulse Avalanche Energy   L=10mH

2000

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt

5.0

V/ns

PD

Power Dissipation

278

W

Derating Factor above 25

2.22

W/

TL

TPAK

Maximum Temperature for Soldering

Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for  10 seconds, Package Body for 10 seconds

300

260

 

TJ& TSTG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

MOSFET (金属 - 酸化物 - 溶で伝導器のフィールド効果トランジスタ)、電圧制御半導体デバイスであり、電子成分のカテゴリに属し、電圧をゲート端子に適用することにより、ソース端子と排水端子間の電流を調節します。
ホット製品
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