Longteng Semiconductorは1200V 50A IGBTを発売し、中電圧および低電圧産業と新しいエネルギーセクターでのアプリケーションを可能にしました。

2025,06,14

電力デバイスの急速な発展により、損失を減らす方法、信頼性の向上とアプリケーションのカバレッジが幅広くなる方法が業界の焦点となっています。 Longteng Semiconductorは、** 1200V 50AフィールドストップトレンチIGBT **新しい製品を発売しました。高度なプロセスプラットフォームと体系的な設計機能に依存して、産業インバーター、UPS、および新しいエネルギーシナリオに効率的な駆動力を注入します。

高度な技術、優れたパフォーマンス

このIGBTは、フィールドストップトレンチテクノロジープラットフォームを採用し、最適化されたトレンチゲート構造を組み合わせて、状態での損失とスイッチング損失を効果的に削減します。また、高速スイッチング機能と幅広い安全な動作エリア（SOA）も備えており、高周波作業環境でのシステムアプリケーションに特に適しています。これにより、顧客にシステム効率と運用上の信頼性が高まります。

優れた電気性能指標

・Collector-Emitter電圧（VCE）：1200V

・定格電流（IC）：50a

・最大電力散逸（PD）：25°Cで399W

・飽和電圧（VCE（SAT））：25°Cでの典型的な値1.85V

・ターンオフ損失（EOFF）：25°Cでの典型的な値1.86MJ

包括的な熱/電気特性曲線

出力の特性から、損失を接合温度制限に切り替えることから、このデバイスは、設計段階での顧客の実際のアプリケーション条件の一致する要件を完全に考慮し、優れた熱安定性と衝撃耐性能力を備えています。

この1200V IGBTは特に適しています

1。UPSおよびデータセンター電源

2。溶接機と誘導加熱装置

3。太陽光発電およびエネルギー貯蔵インバーター4。電気自動車DC-AC/DC-DC変換