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最小注文数:1
Model No:LSB65R070GF
説明Lonfet TM Power MOSFETは、高度なスーパージャンクションテクノロジーを使用して製造されています。得られたデバイスの抵抗は非常に低いため、優れた出力密度と優れた効率を必要とするアプリケーションに特に適しています。特徴⚫ウルトラ低いr ds（on） ⚫超低ゲートチャージ（ typ。qg = 95nc） ⚫100 ％UISテストRohs準拠アプリケーション⚫力係数（PFC）。 switchedモードモード電源（SMPS） 。...
最小注文数:1
Model No:LSD65R180GT
説明Power Mosfetは、高度なスーパージャンクションテクノロジーを使用して製造されています。得られたデバイスの抵抗は非常に低いため、優れた出力密度と優れた効率を必要とするアプリケーションに特に適しています。製品の概要VDS @ TJ、Max：700V RDS（オン）、最大：0.18Ω IDM：60a QG、型：40.2 NC特徴⚫ウルトラ低いr ds（on） ⚫超低ゲートチャージ（typ。qg = 40.2nc ） ⚫100 ％UISテストRohs準拠アプリケーション ⚫ ...
最小注文数:1
Model No:LNB20N65
説明Power MOSFETは、 Advanced Planer VDMOSテクノロジーを使用して製造されています。結果として得られるデバイスは、伝導抵抗が低く、優れたスイッチング性能、雪崩エネルギーが高くなっています。特徴低いr ds（オン） 低ゲートチャージ（typ。qg = 58.3 nc ） 100 ％UISテストROHS準拠アプリケーション力率補正。 switchされたモード電源。 LEDドライバー。...
最小注文数:1
Model No:LSB65R041GF
説明Lonfet TM Power MOSFETは、高度なスーパージャンクションテクノロジーを使用して製造されています。得られたデバイスの抵抗は非常に低いため、優れた出力密度と優れた効率を必要とするアプリケーションに特に適しています。特徴超低いr ds（on） 超低ゲートチャージ（typ。qg = 169nc ） 100 ％UISテストROHS準拠アプリケーション力率補正（PFC）。 スイッチモード電源（SMPS）。...
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