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Model No:NCE30TD60B
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ一般的な説明NCE独自のトレンチアーキテクチャと高度な第2世代のフィールドストップ（FS II）テクノロジーを採用して、600V Trench FS II IGBTは、優れた伝導とスイッチングパフォーマンスを提供しながら、簡単な並列操作を可能にします。特徴TrenchFSIIテクノロジー製品 非常に低いVCE（SAT） 高速スイッチング機能VCE （SAT）の正の温度係数 しっかりと制御されたパラメーター分布...
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Model No:DXG20N65PS
半導体離散デバイス - IGBTトランジスタ重要な仕様20A電流で1.70Vの典型的なVCE（SAT）による650V/20A評価高度なフィールドストップIGBTテクノロジーを利用します10マイクロ秒の短絡耐音時間をサポートします正方形の逆バイアスセーフオペレーティングエリア（RBSOA）を特徴とする正のVCE（オン）温度係数。 利点モーター制御の高効率。 頑丈なパフォーマンス。 並列操作での優れた電流共有 * 離散IGBT...
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Model No:DXG60N65HSE
半導体離散デバイス - IGBTトランジスタ特徴650V /60Aの定格は、60A負荷電流で典型的なオンステート電圧降下2.3Vで2.3V。 優れたパフォーマンスのためにフィールドストップIGBT設計を組み込みます。 10 マイクロセカンドの短絡耐性を提供します。 明確に定義された逆バイアスセーフオペレーティングエリアを備えています。 正のVCE（オン）温度係数。...
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Model No:DXG60N65HSEU
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ特徴60a で典型的な飽和電圧（VCE（SAT））の650V/60A フィールドストップIGBTアーキテクチャの上に構築されたパフォーマンスを向上させる 最大10μsの短絡条件に耐えることができる 平方逆バイアスセーフオペレーティングエリア（RBSOA）は信頼性を保証します...
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Model No:DXG120N65GS
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ特徴⚫650v 120a、v ce（sat）（typ。） = 1.8v high高速スイッチング機能を有効にしますcolld 全体のシステム効率を高めますsoftソフト電流ターンオフ波形square square rbsoa 一般的な説明IGBTは、モータードライブ、中断性供給（UPS）、インバーター、およびその他のソフトスイッチングシステムなどのアプリケーションに、より低い電力損失とより高いエネルギー効率を提供します。 *...
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Model No:DXG40S120H
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ特徴1200V 、40A、V CE（SAT）（typ。=） 1.9V@v GE = 15V systemシステム効率が高いsoftソフト電流ターンオフ波形square square rbsoa 概要これらのIGBTは、優れたエネルギー効率と伝導損失を減らし、モータードライブ、インバーター、および高い信頼性とパフォーマンスを必要とするソフトスイッチングアプリケーションに最適です。 *IGBTシングルチューブ（または離散IGBT ）...
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Model No:DXG15S120H
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ特徴1200V15A 、V CE（SAT）（typ。） = 1.9 V@15a SPT （ソフトパンチスルー）テクノロジー損失の低下システム効率が高い優れた短絡機能正方形のrbsoa 一般的な説明IGBTは、モータードライブ、UPS、インバーター、その他のソフトスイッチングアプリケーションなど、より低い損失とアプリケーションのエネルギーを高めます。 *...
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Model No:DXG25N120H
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ特徴1200V 、25A、V CE（SAT）（typ。） = 2.3 V@V GE = 15V 高速スイッチングsystemシステム効率が高いsoftソフト電流ターンオフ波形square square rbsoa 一般的な説明モータードライブ、UPS、インバーター、その他のソフトスイッチングアプリケーションなど、より低い損失とより高いエネルギーをアプリケーションに提供します。 *離散IGBT...
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Model No:DXG15N120H
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ特徴1200V /15A定格：15Aで2.3Vの典型的な飽和電圧（VCE（SAT））を特徴としています 最適化されたシステム効率：改善された電力変換パフォーマンスを提供する ソフトスイッチング機能：制御された電流ターンオフ波形を採用します一般的な説明IGBTは、モータードライブ、UPS、インバーター、その他のソフトスイッチングアプリケーションなど、低損失とアプリケーションのためのより高いエネルギー。 *離散IGBT...
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Model No:NCE15TD60BD
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ600V 15A TRENCH FS II FAST IGBT NCE15TD60BD一般的な説明NCE独自のトレンチアーキテクチャと第2世代のフィールドストップ（FS）テクノロジーを活用して、600V Trench FSII IGBTは、例外的な伝導とスイッチングパフォーマンスを提供し、並列操作機能を簡素化します。特徴TrenchFSIIテクノロジー製品 超低VCE（SAT）（飽和電圧） 迅速なスイッチング機能VCE...
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Model No:NCE30TH60BPN
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ一般的な説明： NCE独自のトレンチゲートフィールドストップ（TFS）アーキテクチャと第2世代のフィールドストップ（FS II）テクノロジー、600V Trench FS II IGBTシリーズを使用して、業界をリードする伝導効率、超高速スイッチングパフォーマンス、および高パワーアプリケーションのための並列構成を簡素化します。 重要な機能trench fsiiテクノロジー製品⚫ 超低オンステート電圧（vce（sat）typ。1.2v） ⚫...
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Model No:NCE15TD60BF
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ一般的な説明NCEの特許取得済みのトレンチゲートアーキテクチャと次世代フィールドストップ（FS II）テクノロジーを活用して、600V Trench FS II IGBTは、固有の並列接続機能を備えた最適化された伝導とスイッチングパフォーマンスを提供します。特徴TrenchFSIIテクノロジー製品非常に低いV CE（SAT） 高周波スイッチング機能 温度係数が正の熱安定VCE（SAT） しっかりと制御されたパラメーターの均一性...
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Model No:NCE25TD120BT
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ1200V 25A TRENCH FS II FAST IGBT NCE25TD120BT一般的な説明： NCE独自のtrenchデザインと高度なFS（フィールドストップ）セカンドジェネレーションテクノロジーを使用して、1200V Trench FSII IGBTは優れた伝導とスイッチングパフォーマンス、および簡単な並列操作を提供します特徴trench fsiiテクノロジー製品⚫vce非常に低い（sat）...
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Model No:NCE40ER65BP
半導体離散デバイス - IGBTシングルチューブ一般的な説明NCE独自のトレンチフィールドストップIII（TFS III）アーキテクチャと高度なフィールドストップテクノロジーを活用して、650VトレンチFS III IGBTは、クラス最高の伝導効率、超高速スイッチングパフォーマンス、および高出力用途向けの最適化された熱管理を実現します。特徴 トレンチフィールドストップIII（TFS III）テクノロジー非常に低いV CE（SAT） 高速スイッチング機能VCE...
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Model No:DXG20N65FS
産業制御用の650V IGBTシングルチューブ特徴650V20a 、v ce（sat）（typ。） = 1.70 v@20a フィールドストップIGBTテクノロジー。 10μs短絡機能。 正方形のrbsoa。 正のVCE（オン）温度係数。 利点モーター制御の高効率。 頑丈なパフォーマンス。 並列操作での優れた電流共有...
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Model No:DXG30N65HSEK
650V 30A、TO-247パッケージIGBTシングルチューブ特徴650V30a 、vce（sat）（typ。）= 1.7v@30a フィールドストップIGBTテクノロジー。 10μs短絡機能。 正方形のrbsoa。 正のVCE（オン）温度係数。利点モーター制御の高効率。 頑丈なパフォーマンス。 並列操作での優れた電流共有アプリケーション： *ホームアプライアンス -可変頻度アプライアンス /キッチンアプライアンスなど *産業制御 -低電力インバーター...
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Model No:DXG40N65HSEK
650V 40A IGBTシングルチューブDXG40N65HSEK 特徴650V40a 、v ce（sat）（typ。） = 1.70 v@40a フィールドストップIGBTテクノロジー。 10μs短絡機能。 正方形のrbsoa。 正のVCE（オン）温度係数。 利点 モーター制御効率の向上頑丈なパフォーマンス。...
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Model No:DXG40N65ASWU
IGBTシングルチューブ（または離散IGBT ）：孤立した住宅にパッケージ化された単一のIGBTチップ。 650V/40A IGBT DXG40N65ASWU特徴650V40a 、vce（sat）（typ。）= 2.3 v@40a フィールドストップIGBTテクノロジー。 10μs短絡機能。 正方形のrbsoa。 正のVCE（オン）温度係数。 アプリケーション： *新しいエネルギーシステム-分散型PVインバーター /小規模エネルギー貯蔵コンバーター *家電と照明-...
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