すべての製品

N-Channel 650V 11a Power MOSFET LSD65R380GT

説明Lonfet TM Power MOSFETは、高度なスーパージャンクションテクノロジーを使用して製造されています。得られたデバイスの抵抗は非常に低いため、優れた出力密度と優れた効率を必要とするアプリケーションに特に適しています。特徴⚫ 超低RDS（オン） ⚫超低ゲートチャージ（typ。qg= 21nc） ⚫100 ％UISテストRohs準拠アプリケーション⚫ 力率補正（PFC） ⚫スイッチ付きモード電源（SMPS） autrupturedurdurdurdultible Power...

BIP60015G-A 600V 15Aインテリジェントパワーモジュール

...

高電圧Nチャンネル電力MOSFET LSD65R180GF

説明このPower Mosfetは、その構造に高度なスーパージャンクションテクノロジーを採用しています。エンジニアリングされたデバイスは最小限の抵抗を提供し、優れた出力密度と卓越した効率を要求するアプリケーションに理想的に適しています。特徴ウルトラローR DS（オン）  ゲートチャージの削減（typ。qg= 40.2nc）  完全にuis（未処理の誘導スイッチング）がテストされましたROHS準拠アプリケーション力率補正（PFC）。 切り替えモード電源（SMPS）。...

650V 40A IGBTトランジスタDXG40N65HSEK

650V 40A IGBTシングルチューブDXG40N65HSEK 特徴650V40a 、v ce（sat）（typ。） = 1.70 v@40a フィールドストップIGBTテクノロジー。 10μs短絡機能。 正方形のrbsoa。 正のVCE（オン）温度係数。 利点 モーター制御効率の向上頑丈なパフォーマンス。...

高性能高速回復エピタキシャルダイオードHUR30120

高速回復ダイオードHUR30120- ソフトリカバリの動作高性能幅範囲超高速回復エピタキシャルダイオード特徴*国際的な包装基準に準拠しています* Planar Passivatedチップテクノロジー*超高速回復時間*非常に低いスイッチング損失*低LRM値*ソフトリカバリ特性*...

UPSアプリケーションDXG40N65ASWU用の効率的なIGBT

IGBTシングルチューブ（または離散IGBT ）：孤立した住宅にパッケージ化された単一のIGBTチップ。 650V/40A IGBT DXG40N65ASWU特徴650V40a 、vce（sat）（typ。）= 2.3 v@40a フィールドストップIGBTテクノロジー。 10μs短絡機能。 正方形のrbsoa。 正のVCE（オン）温度係数。 アプリケーション： *新しいエネルギーシステム-分散型PVインバーター /小規模エネルギー貯蔵コンバーター *家電と照明-...

高電圧NチャンネルパワーMOSFET LSB65R070GF

説明Lonfet TM Power MOSFETは、高度なスーパージャンクションテクノロジーを使用して製造されています。得られたデバイスの抵抗は非常に低いため、優れた出力密度と優れた効率を必要とするアプリケーションに特に適しています。特徴⚫ウルトラ低いr ds（on） ⚫超低ゲートチャージ（ typ。qg = 95nc） ⚫100 ％UISテストRohs準拠アプリケーション⚫力係数（PFC）。 switchedモードモード電源（SMPS） 。...

高性能Nチャネル650V 20A POWER MOSFET LSD65R180GT

説明Power Mosfetは、高度なスーパージャンクションテクノロジーを使用して製造されています。得られたデバイスの抵抗は非常に低いため、優れた出力密度と優れた効率を必要とするアプリケーションに特に適しています。製品の概要VDS @ TJ、Max：700V RDS（オン）、最大：0.18Ω IDM：60a QG、型：40.2 NC特徴⚫ウルトラ低いr ds（on） ⚫超低ゲートチャージ（typ。qg = 40.2nc ） ⚫100 ％UISテストRohs準拠アプリケーション ⚫ ...

450V 220UFアルミニウム電解コンデンサ

アルミニウム電解コンデンサ陽極（+）が誘電体として陽極酸化されたアルミニウム箔を備えたエッチングされたアルミニウム箔で構成されている偏光電解コンデンサです。カソード（ - ）は、カソードホイルと接触する導電性電解質（液/固体）によって形成されます。それらは、体積あたりの高い静電容量、極性感度によって特徴付けられ、DC回路のフィルタリング、エネルギー貯蔵、および結合に広く使用されています。 アプリケーション* 電源回路* Industrial＆Automotive * 家電寸法： 周波数係数...

150W MINLスーパーエネルギー貯蔵電源

...

600V 30A高速回復エピタキシャルダイオードHUR3060

高速回復ダイオード特徴*国際標準パッケージ*ガラスのパッシブチップ*非常に短い回復時間*非常に低いスイッチング損失*低IRM値*ソフトリカバリの動作* ROHS準拠アプリケーション*高周波スイッチングデバイス用の反均等ダイオード*飽和ダイオード*スナバーダイオード*コンバーターとモーター制御回路のフリーホイーリングダイオード*スイッチモードの電源（SMPS）の整流器*帰納的加熱*無停電電源（UPS）...

超音波クリーナー用の600V高速回復ダイオードMUR3060PT

高速回復ダイオード特徴* International Standard Package、Jedec to-247ad *ガラスのパッシブチップ*非常に短い回復時間*非常に低いスイッチング損失*低IRM値*ソフトリカバリの動作* ROHS準拠アプリケーション*スイッチモードの電源（SMPS）の整流器*無停電電源（UPS）...

高電圧NチャンネルパワーMOSFET LNB20N65

説明Power MOSFETは、 Advanced Planer VDMOSテクノロジーを使用して製造されています。結果として得られるデバイスは、伝導抵抗が低く、優れたスイッチング性能、雪崩エネルギーが高くなっています。特徴低いr ds（オン） 低ゲートチャージ（typ。qg = 58.3 nc ） 100 ％UISテストROHS準拠アプリケーション力率補正。 switchされたモード電源。 LEDドライバー。...

高電圧n-チャンネルMOSFET LSB65R041GF

説明Lonfet TM Power MOSFETは、高度なスーパージャンクションテクノロジーを使用して製造されています。得られたデバイスの抵抗は非常に低いため、優れた出力密度と優れた効率を必要とするアプリケーションに特に適しています。特徴超低いr ds（on） 超低ゲートチャージ（typ。qg = 169nc ） 100 ％UISテストROHS準拠アプリケーション力率補正（PFC）。 スイッチモード電源（SMPS）。...