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Xinjienengによって発売されたSIC MOSFET製品は検証されており、小規模で生産できます。
最近、Wuxi Xinjieneng Co.、Ltd。（以下「Xinjieneng」と呼ばれる）は、インタラクティブプラットフォームで、1200V 23mohmから62mohm SIC Mosfetシリーズ製品の開発を完了したと述べました。また、新しいエネルギー車両OBC、太陽光発電エネルギー貯蔵、産業、自動化などの産業で使用する650V SIC MOSFETプロセスプラットフォームを開発しました。関連製品は、顧客の検証に合格し、小規模な販売を達成しました。さらに、より多くの第3世代の半導体チップファウンドリーが開発されており、関連製品はエンジニアリング出力を達成しています。 Xinjienengが2013年1月に設立され、登録資本が2億1,300万元であることが知られています。 Xinjieneng Hong Kong、Dianji Integration、Jinlan Power Semiconductor、Guosil Integrated...
ESDAレポート：2024年第4四半期の電子システム設計業界の販売量は49億米ドルでした。
2025年4月14日、米国のカリフォルニアタイム、セミのテクノロジーコミュニティである電子システム設計アライアンス（ESDA）は、最新の「電子設計市場データレポート」（EDMD）で、2024年の第4四半期の電子システム設計（ESD）業界の販売が前年比で11％増加し、4.9273億米ドルに達すると発表しました。 2023年の第4四半期には、44億9000万米ドルでした。前の4四半期と比較して、過去4四半期の移動平均は12.8％増加しました。 セミエレクトロニックデザイン市場データレポートのエグゼクティブイニシエーターであるWalden C. Rhinesは、「2024年の第4四半期に、EDA業界の販売が大幅に増加しました。すべての製品カテゴリは、半導体知的財産を除き、顕著な成長を遂げました。製品のカテゴリと地域はすべて増加しています。」 2024年の第4四半期に、EDMDレポートで追跡された企業は、世界で合計61,827人を雇用し、2023年の第4四半期の60,106と比較して2.9％増加しましたが、2024年の第3四半期と比較した場合は0.9％減少しました。 EDMD...
Longteng Semiconductorは1200V 50A IGBTを発売し、中電圧および低電圧産業と新しいエネルギーセクターでのアプリケーションを可能にしました。
電力デバイスの急速な発展により、損失を減らす方法、信頼性の向上とアプリケーションのカバレッジが幅広くなる方法が業界の焦点となっています。 Longteng Semiconductorは、** 1200V 50AフィールドストップトレンチIGBT...
セミレポート：2025年第1四半期のグローバルシリコンウェーハの出荷は、前年比で2％増加しました。
2025年4月29日、カリフォルニア州でカリフォルニア州で、シリコン製造業者グループ（SMG）がセミコンでリリースした四半期分析レポートによると、グローバルシリコンウェーハ出荷量は前年比2.2％増加し、2024年の2834百万平方インチ（MSI）から2896百万平方インチに増加しました。 2024年の第4四半期の3億1,82百万平方インチと比較して、主に季節的要因とサプライチェーンの全体的な在庫レベルにより、出荷量は9.0％四半期ごとに減少しました。 Semi SMGの会長でGlobalWafersの副社長であるLi Chongwei氏は次のように述べています。「2025年の第1四半期のシリコンウェーハ出荷数値は、300mmシリコンウェーハの出荷量が6％増加したことを示していますが、200mmおよびより小さいサイズのシリコンウェーハの出荷量が減少しました。また、出荷量が減速しました。」...
準決勝：2025年の第1四半期に、半導体業界は典型的な季節パターンを示しました。ただし、関税などの要因により、非典型的な変更がある可能性があります。
2025年5月19日、カリフォルニア州の米国の時間、SemiはTechInsightsと協力して、「2025年第1四半期の半導体製造モニター（SMM）レポート」をリリースしました。報告書は、世界の半導体製造業界が2025年の初めに典型的な季節パターンを示したことを発表しました。しかし、進行中の関税の影響と進化するサプライチェーン戦略は、今年の今年の数ヶ月で非典型的な季節的な変化をもたらすと予想されます。貿易政策のリスクが強化されているにもかかわらず、2025年の第1四半期の現在のデータは、電子製品と統合回路（IC）の販売が新しい関税の影響を受けなかったことを示しています。電子製品の販売は、2025年の第1四半期に16％四半期ごとに減少し、従来の季節パターンと一致して、前年比でフラットなままでした。 ICSの売り上げは2％四半期中に減少しましたが、人工知能と高性能コンピューティングインフラストラクチャへの継続的な投資を反映して、前年比23％増加しました。 Semi Market Analysis部門のシニアディレクターであるClark...
半導体は、新しい950VスーパージャンクションMOSシリーズをMOSファミリーに紹介します
高性能でコンパクトな電力システムに対する需要の増加に伴い、従来の平面MOSFETは徐々に高電圧と低損失の要件を満たすことができなくなりました。 Longteng半導体は、高度な複数のエピタキシャル構造設計を採用する超高電圧950VスーパージャンクションSJ MOSプラットフォームを個別に開発しました。高電圧を確保することに基づいて、デバイス内の寄生容量を効果的に減らし、スイッチングプロセス中のエネルギー損失をさらに最適化します。従来のPN接合構造と比較して、この新しい構造は、漏れ電流を効果的に減らし、デバイスの熱安定性と抗電界能力を改善し、高電圧条件下での信頼性を確保することができます。満杯LED照明電源、アダプター、モジュール電源、プラント照明電源などの高電圧および中電力エリアの需要を満たしています。 Longtengの950V Super-Junction MOSFETは、複数のエピタキシャルプロセスを採用しています。エピタキシャル層を正確に積み重ねてドーピング分布を最適化することにより、電荷のバランスと電界の均一性を大幅に改善し、製品に3つのコアの利点を与えます。...
準決勝：2025年第1四半期のグローバル半導体機器の出荷は、前年比で21％増加しました。
2025年6月5日、カリフォルニア州のセミは、「ワールドワイド半導体機器市場統計（WWSEMS）レポート」でリリースされた、2025年の第1四半期のグローバル半導体機器出荷額が前年比21％増加し、3205億米ドルに達したことを指摘しました。典型的な季節パターンによると、2025年の第1四半期の出荷額は5％四半期ごとに減少しました。準会長兼CEOのアジット・マノチャは、「世界の半導体機器市場は、2025年の第1四半期に堅実なスタートを切っており、地域全体での将来のチップ製造能力への将来の見通し投資を反映しています。 地域別の四半期出荷データ（ユニット：100億米ドル） Semiが発行する機器市場レポート、つまり機器市場データサブスクリプション（EMDS）には、グローバルな半導体機器市場に関連する豊富な情報が含まれており、次の3つのタイプのレポートが含まれています。 ▪毎月の半導体機器の出荷レポート。機器セクターの市場動向に関する洞察を提供する。...
世界初の非シリコン2次元材料コンピューターが発表されました。
Science and Technology Dailyによると、最近、米国のペンシルバニア州立大学が率いる研究チームは、自然の最新号で画期的な成果を発表しました。彼らは、2次元材料を初めて使用して、簡単な操作を実行できるコンピューターを作成しました。この研究は、より薄く、より速く、よりエネルギー効率の高い電子製品の作成に向けた重要なステップを示しています。...
車両グレードのスーパージャンクションMOSFET LSB60R041GFA：比類のないエネルギー効率で高出力アプリケーションを新たな高みへと駆動する
01製品の概要この製品は、最新の超関数テクノロジーを採用しており、自動車用電子機器と高出力用途向けに特別に設計されています。品質と信頼性の観点から、製品はAEC-Q101自動車グレードの信頼性認証基準とIATF 16949自動車品質管理システム認定要件を厳密に順守しています。耐抵抗が低く、電力密度が高く設計されているため、極端な条件下で安定した動作を保証し、効率的なモーターシステムにコアパワーサポートを提供します。 02キー機能低伝導損失：抵抗性の低い設計により、熱生成が減少し、エネルギー効率が向上します。スイッチング損失が低い：ゲートチャージが低いと、ドライブ損失が大幅に減少します。高出力密度：コンパクトな高性能システムに適した優れた熱設計。 03製品の利点車両グレードの品質：デュアル認定により、製品が自動車産業の厳格な基準を満たし、高度な信頼性と安全性を確保します。効率的なエネルギー節約：RDS（ON）とQGを削減することにより、システムエネルギー消費が大幅に減少し、運用パフォーマンスが向上します。高い信頼性：厳密なテストにより、過酷な環境で長期的な安定性が保証されます。...
準決勝：2024年には、グローバル半導体機器の出荷が1,170億米ドルに急増すると予想されます
2025年4月9日、セミがリリースしたレポート「ワールドワイド半導体機器市場統計（WWSEMS）」で、2024年には世界の半導体製造機器の出荷額が1,171億米ドルに達し、2023年の1063億ドルと比較して10％増加したことが指摘されました。 2024年、グローバルなフロントエンド半導体機器市場は大幅な成長を目撃しました。ウェーハ加工装置の売り上げは9％増加しましたが、他のフロントエンドセグメントの販売は5％増加しました。この成長は、主に、高度なロジック、成熟した論理、高度な包装、高帯域幅メモリ（HBM）の容量拡大への投資の増加、および中国からの投資の大幅な成長に起因していました。連続した2年間の減少を経験した後、バックエンド機器セグメントは、主に人工知能と高帯域幅の記憶の製造に対するますます複雑になっているため、2024年に強い回復を見ました。包装およびテスト機器の販売は、それぞれ25％と20％増加し、高度な技術をサポートする業界の取り組みを反映しています。 Semiの社長兼CEOであるAjit...
Changxin Corporationのいくつかのカスタムチッププロジェクトが設計段階に入っており、1年以内に製造を受けることが期待されています。
6月10日の主要な半導体業界のウェブサイトからの情報によると、Canxin Co.、Ltd。は、2025年の第1四半期に、同社のカスタムチッププロジェクトのいくつかが設計段階に入り、今年中にウェーハの製造を受けると予想されていると述べました。 デザインサービスのために会社が提供するMRAMコントロールチッププロジェクト。このチップは、国内の自己開発プロセスプラットフォームでロジック制御設計を実施し、国内のMRAMストレージのブレークスルーを達成します。さらに、コストの利点により、その後のSOC設計プロセスで低速アプリケーションシナリオで外部フラッシュとオンチップSRAMを徐々に置き換えることができます。このチップは、将来複数の反復を受けると予想されており、かなりの商業的可能性があります。さらに、同社はマルチプロセスプラットフォームIPSのR＆Dで大きな進歩を遂げています。...
2025年の第4四半期の季節効果は緩和され、ウェーハ鋳造の収益は5.4％の四半期ごとに減少しました。
Trendforce（調査会社）：2025年の第1四半期のオフシーズンの影響が軽減され、ウェーハ鋳造所の収益は前四半期と比較して5.4％減少しました。 Trendforceによる最新の調査によると、2025年の第1四半期に、国際的な状況の変化の影響を受けたグローバルな半導体鋳造業界は、事前に在庫を蓄え始めました。一部の企業は、顧客から緊急の注文を受けました。さらに、中国は2024年に開始された古い交換補助金政策を継続し、オフシーズンの影響の一部を相殺しました。その結果、業界全体の収益は約5.4％の四半期ごとに減少し、364億米ドルに収束しました。第2四半期の収益パフォーマンスを見ると、全体的な勢いは徐々に減速しています。ただし、中国の新しいデバイスに置き換えられている古いデバイスの補助金ポリシーは、販売ブームの推進を続けると予想されています。さらに、年の後半の新しいスマートフォンモデルの予約注文準備は徐々に始まり、AI...
Power Semiconductorは、100-150kWの3レベルインバーター/ストレージモジュールのQ2シリーズを発売しました
「二重炭素」の目標によって推進され、太陽光インバーター、エネルギー貯蔵システム、産業周波数変換の分野における電力モジュールの高効率と高出力密度の需要が継続的に増加しています。スイッチング損失が低く、電圧利用率が高い3レベル（NPC）トポロジは、中電圧および高電圧シナリオの主流ソリューションになりました。 「2025 Global Power Electronics Technology White Paper」によると、3レベルのモジュール市場の年間成長率は18％を超えています。その中で、1000Vの太陽光発電システムとの互換性があるため、650Vプラットフォームはコアシェアを占めています。 Jinlan Power Semiconductor（WUXI）Co。、Ltd。は、105kW、125kW、および135kWのINPCインバーターエネルギー貯蔵統合モジュールのLQ2シリーズを発売し、エネルギー効率の課題に対処する顧客に包括的なサポートを提供しました。製品プロファイルすべてが溶接ピンを使用してLQ2パッケージを採用しています（Flow...
セミレポート：ウェーハ製造装置への世界的な投資は、2025年までに1,100億米ドルに達すると予想されます。
2025年3月25日、カリフォルニア州の米国では、Semiが最新の四半期グローバル半導体Fab Forecastレポート（World Fab Forecast）をリリースし、2025年にフロントエンド施設のウェーハ製造装置への世界的な支出が2020年以来6年間増加し、前年比で2％増加し、110億ドルに達しました。来年、ウェーハ製造装置への支出は18％増加して1300億米ドルに達します。この投資の成長は、高性能コンピューティング（HPC）とメモリカテゴリによってサポートされているデータセンターの拡張需要だけでなく、AIの統合の増加からも恩恵を受けるため、エッジデバイスに必要なシリコン製品の継続的な上昇が生じています。 Semiの社長兼CEOであるAjit Manocha氏は次のように述べています。「グローバルな半導体業界によるウェーハ製造装置への投資は6年連続で成長しています。AI関連のチップの需要の継続的な強化と生産の大幅な増加により、投資は2026年に18％増加します。」 論理的なマイクロコンポーネントのカテゴリーは、半導体産業の拡大を推進する主要な力となっています。...
準決勝：2024年後半に、グローバルシリコンウェーハの出荷と販売が回復し始めました。
2025年2月13日、カリフォルニア州でのカリフォルニア州の時間、シリコンメーカーグループ（SMG）がセミコンウェーハグループ（SMG）が2024年後半にリリースした年次分析レポートによると、2023年にシリコンウェーハの世界的な需要が業界から回復し始めました。一方、シリコンウェーハの売上は、同じ期間に6.5％減少して115億米ドルでした。 2024年、特定のセグメントの端末需要が弱いため、特定の用途のウェーハ工場の利用率とウェーハ出荷量に影響を与え、在庫調整速度は比較的遅くなりました。回復は2025年まで続くと予想されており、年の後半にはより大きな改善があります。 Semi SMGの会長でGlobalWafersの副社長であるLi...
新しいNCEPOWER AUTOMOTIVE-GRADE DFN 5x6デュアルサイド熱散逸パワーデバイスは、自動車エレクトロニクスのパフォーマンスをアップグレードするのに役立ちます
今日の急速に発展している自動車エレクトロニクス業界では、信頼性、効率性、熱散逸性能の向上が、パワーデバイスの設計において重要な方向になりました。優れた熱散逸性能とコンパクトなパッケージングデザインを備えた自動車グレードのDFN5*6二重面熱散逸製品は、新世代の自動車用途のスター製品になりました。市場動向は製品の需要を促進します新しいエネルギー車両、ADA（高度なドライバーアシスタンスシステム）、車両ネットワーキングテクノロジーの普及により、自動車用グレードのパワーデバイスは、より高い出力密度とより複雑な作業環境で優れた性能と信頼性を維持する必要があります。従来の片面熱散逸パッケージは、これらの要件を満たすことができませんでした。そして今回、Changjin Energyは、40V DFN 5x6（NCEAP008NHH4OAGW）二重側の熱散逸自動車級MOSFET新製品の発売を正式に発表しました。効率的な熱管理機能により、高出力シナリオに新しいソリューションをもたらします。 製品情報の概要これは、新しい40Vのデュアルサイドヒートシンク自動車グレードのMOSFET製品です。...
0121地震の最初の評価は、それがタイナンウェーハファブに大きな損害を与えなかったことを示していますが、1Q25でテレビパネルの激しい供給を悪化させる可能性があります。
Trendforce：予備的な評価は、0121の地震がTainan Wefer Fabに大きな損害を与えなかったことを示していますが、1Q25でテレビパネルの激しい供給を悪化させる可能性があります。 1月21日のTrendforceの調査によると、近くのウェーハ鋳造工場とパネルファクトリー、TSMCとUMCのTainan植物に対するChiayiの大きさ6.4地震の影響に関する調査によると、これは4度以上の震え強度、避難した人員、および当時検査のための操作を停止しました。炉の内部の避けられないウェーハの破損を除いて、機器に大きな損傷は報告されませんでした。 Tainanは重要なパネル生産エリアでもあり、メーカーへの実際の影響はまだ確認されていません。ただし、この地震は、2025年の第1四半期にテレビパネルの供給圧力を高める可能性があります。 Trendforce Consultingは、TSMCには1つの8インチの工場と2つの12インチウェーハファブがあり、成熟したプロセスから最も高度な5/4NMおよび3NMプロセスまで生産すると述べています。...
サーバーDRAMとHBMは、2024年第3四半期にDRAM業界の収益を13.6％上昇させました。
Trendforce（調査会社）：サーバーDRAMとHBMは、2024年第3四半期にDRAM業界の収益を13.6％増加させました。 Trendforceによる最新の調査によると、2024年第3四半期のDRAM（メモリ）業界の収益は260億2,000万米ドルで、前年比13.6％増加しました。中国のモバイルデバイスメーカーによる在庫削減と一部のDRAMサプライヤーによる生産の拡大により、上位3つのDRAMメーカーのLPDDR4とDDR4の出荷が減少しましたが、データセンターのDDR5およびHBM（高帯域幅メモリ）の需要が増加しました。平均販売価格に関しては、3つの主要メーカーが前四半期から上昇傾向を継続し、HBMが全体的なDRAM生産能力を絞り続けたため、契約価格は第3四半期に8％増加して13％増加しました。 2024年の第4四半期を楽しみにして、Trendforce's Research Instituteは、工場全体のビット出荷が前四半期と比較して増加すると予測しています。...
新しいJieneng 650V Gen.7シリーズIGBT製品は、マイクログルーブチャネルカットオフテクノロジーに基づいており、デバイスのセル構造密度を大幅に向上させることができます。キャリアストレージの設計、多勾配バッファー層の設計、および超薄型ドリフト領域設計を採用することにより、デバイスの現在の密度が大幅に強化されます。同時に、デバイスのスイッチング特性が最適化されており、システム設計の余地が増えています。 JienengのGen.7 IGBTシリーズ製品は、さまざまなアプリケーション要件に一致するように開発されており、さまざまなパラメーター特性を備えています。本日導入された「V」シリーズ製品は、飽和電流が比較的大きく、伝導損失とスイッチング損失の間に良好な妥協があり、太陽光インバーター、エネルギー貯蔵、UPSなどのアプリケーションに非常に適しています。 650V...
準決勝：2024年の第3四半期にグローバルシリコンウェーハの出荷が6％増加しました
2024年11月12日、米国でのカリフォルニアタイムは、2024年の第3四半期にシリコンメーカーグループ（SMG）がリリースしたシリコンメーカーグループ（SMG）がリリースした最新の四半期分析レポートによると、前四半期と比較して5.9％増加し、3億2,14百万平方インチ（MSI）に達しました。 Semi SMGの会長でGlobalWafersの副社長であるLi Chongweiは次のように述べています。したがって、携帯電話やその他の消費者製品は多少改善されていますが、2025は上昇傾向を示し続ける可能性がありますが、総貨物はまだ2022年のピークレベルに戻っていないと予想されます。 このリリースで引用されているデータには、バージンテストウェーハとして使用されているもの、エピタキシャルシリコンウェーハ、および発送された非磨かれたシリコンウェーハを含む、洗練されたシリコンウェーファーが含まれます。 ウェーハメーカーによってエンドユーザーへ。...
準決勝：2024年第2四半期のグローバル半導体機器の出荷価値は、前年比4％増加しました。
米国カリフォルニア州、2024年9月4日 - 準決勝で発表された「世界の半導体機器市場統計（WWSEMS）レポート」では、2024年第2四半期に、グローバル半導体機器の出荷が前年比4％増加し、268億ドルに達しました。昨年の同じ期間と比較して、わずかに1％増加しました。 Semiの社長兼CEOであるAjit Manochaは次のように述べています。「2024年上半期には、半導体機器の出荷の世界的な総価値は532億ドルであり、これまでの業界の全体的な健康を反映しています。 「グローバル半導体機器市場レポート」は、SemiおよびJapan Semiconductor Equipment Association（SEAJ）が提供するデータをまとめ、グローバル半導体機器業界の毎月の注文と出荷関連のデータをまとめています。地域別の四半期出荷データ（ユニット：100億米ドル） セミ市場データについてSemiが発行する機器市場データサブスクリプション（EMDS）には、グローバルな半導体機器市場に関連する広範な情報が含まれています。...
準決勝：半導体機器の世界的な総売上は、2024年に記録的な1000億米ドルに達すると予想されています。
2024年7月9日、カリフォルニア州の米国では、Semicon West 2024で「中期合計半導体機器の予測-OEMの視点」をセミがリリースしました。このレポートは、元の機器製造業者によるセミコンダクター製造機器の世界的な総売上が新しい業界記録を設定し、2024年に1年間の成長を遂げました。半導体製造機器は、最前線とバックエンドの市場セグメントによって推進されて、2025年に引き続き成長すると予想されており、2025年には売上高が1280億米ドルの新しい高値に達すると予想されます。 Semiの社長兼CEOであるAjit...
1500Vおよび1700VシリーズパワーVDMOS 3A製品
周波数コンバーターまたは太陽光インバーターの補助電源では、補助電源の主な機能は、ドライバーIC、メインコントロールMCU、通信モジュールチップなどのDC高電圧と供給電力を低減することです。 550V、周波数コンバーターの補助電源は通常、逆ブースト設計です。一般的に、電源デバイスは、最大耐音電圧の1375Vを確保するために、最大耐音電圧マージンの1.5〜2.5倍を持つ必要があります。したがって、1500Vの耐電圧を備えたMOSFETが必要です。バスの電圧と電力が異なるため、太陽光インバーターの補助電源では、通常、シングルチューブの包括的ブーストまたはダブルチューブの逆台頭トポロジが選択されます。どのトポロジーが使用されているかに関係なく、コアパワーデバイス、すなわち1500V-1700VパワーMOSFETは不可欠です。 周波数コンバーターの新しいJieneng Companyは、1500Vおよび1700VシリーズのパワーVDMOを発売しました。 1700V、3A製品を例として、主流の外国競合他社の実際の測定値と次のように比較されます。...
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